英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）和臺積電近日宣布，兩家公司準備將臺積電的可變電阻式記憶體制程技術(shù)引入至英飛凌的新一代MCU AURIX微控制器中。
自首個(gè)發(fā)動(dòng)機管理系統問(wèn)世以來(lái)，嵌入式閃存微控制器一直是汽車(chē)電子控制單元（ECU）的主要構建模塊。這些微控制器是打造綠色、安全和智能汽車(chē)所不可或缺的組成部分，被應用于驅動(dòng)系統、車(chē)輛動(dòng)態(tài)控制、駕駛輔助和車(chē)身應用中，助力汽車(chē)領(lǐng)域在電氣化、全新電子電氣（E/E）架構和自動(dòng)駕駛方面實(shí)現了重大創(chuàng )新。目前，市場(chǎng)上的大多數MCU系列均采用嵌入式閃存技術(shù)。作為下一代嵌入式存儲器，RRAM可以進(jìn)一步擴展至28nm及以上。 英飛凌AURIX TC4x微控制器產(chǎn)品性能的可擴展性與虛擬化、安全和網(wǎng)絡(luò )功能方面的最新趨勢相結合，以支持新一代軟件定義汽車(chē)和全新E/E架構。英飛凌與臺積電成功地將RRAM引入至汽車(chē)領(lǐng)域，為AURIX微控制器建立了更加廣泛的技術(shù)與供應基礎。RRAM具有很高的抗干擾性并且允許在不需要擦除的情況下進(jìn)行逐位輸入，其耐久性和數據保持性能堪比閃存技術(shù)。 臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級副總裁Kevin Zhang博士表示：“英飛凌和臺積電長(cháng)期以來(lái)一直保持著(zhù)成功的合作關(guān)系，比如在第一代AURIX TC2x產(chǎn)品的合作。我們在RRAM NVM技術(shù)領(lǐng)域也合作了近十年，涵蓋了各種不同的應用。此次為T(mén)C4x引入RRAM將為MCU的進(jìn)一步小型化開(kāi)辟新的可能性。我們十分高興能與英飛凌這樣領(lǐng)先的企業(yè)展開(kāi)合作�！� 英飛凌科技高級副總裁兼汽車(chē)微控制器業(yè)務(wù)總經(jīng)理Thomas Boehm表示：“AURIX TC3x作為一款倍受青睞的汽車(chē)微控制器已經(jīng)在許多應用領(lǐng)域得到了認可�；谂_積電RRAM技術(shù)打造的AURIX TC4x將憑借更高的ASIL-D性能、更加強大的AI功能以及包括10Base T1S以太網(wǎng)和CAN-XL等在內的最新的網(wǎng)絡(luò )接口，進(jìn)一步擴大這一領(lǐng)先優(yōu)勢。RRAM技術(shù)為提高性能、減少功耗和節約成本創(chuàng )造了巨大的潛力�！� 供貨情況 英飛凌正在向主要客戶(hù)提供基于臺積電28nm eFlash技術(shù)的AURIX TC4x系列樣品。首批基于28nm RRAM技術(shù)的樣品將在2023年底前提供給客戶(hù)。 如需了解更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)infineon.com/aurixTC4x。 |
