|
來(lái)源：IT之家 芯片制造的核心設備則是光刻機。光刻機通過(guò)發(fā)光將光掩膜上的圖形投射在硅片上，制作成芯片。隨著(zhù)芯片精密程度越來(lái)越高，光刻機在硅晶圓上制造出半導體芯片的前道工藝之后，為保護芯片不受外部環(huán)境的影響，還需要先進(jìn)的封裝工藝，這一階段被稱(chēng)為后道工藝。 在后道工藝中，高密度的先進(jìn)封裝不僅對精細布線(xiàn)要求高，而且還需要通過(guò)多個(gè)半導體芯片緊密相連的 2.5D 技術(shù) 及半導體芯片層疊的 3D 技術(shù)來(lái)實(shí)現。 為此，佳能將于 2023 年 1 月上旬發(fā)售半導體光刻機新產(chǎn)品 ——i 線(xiàn)步進(jìn)式光刻機“FPA-5520iV LF2 Option”，通過(guò)半導體芯片層疊而實(shí)現高性能的 3D 技術(shù)，滿(mǎn)足客戶(hù)多樣化、高性能需求的同時(shí)，助力客戶(hù)降本增效。 
為了減少投射光學(xué)系統的像差，新產(chǎn)品首次將應用于前道工藝光刻機的校正非球面玻璃搭載在后道工藝的光刻機上。與以往機型“FPA-5520iV LF Option”相比，新產(chǎn)品的像差可控制至四分之一以下，更平順地實(shí)現 shot 間的拼接。
變像像差的改善（示意圖） 同時(shí)新產(chǎn)品對均質(zhì)器進(jìn)行改良，能夠提升照明光學(xué)系統的照度均一性，實(shí)現 52×68 mm 大視場(chǎng)中 0.8μm（微米）的超高解像力。此外，新產(chǎn)品能夠通過(guò)四個(gè) shot 的拼接曝光，實(shí)現 100×100mm 以上的超大視場(chǎng)，從而實(shí)現 2.5D 和 3D 技術(shù)相結合的超大型高密度布線(xiàn)封裝的量產(chǎn)，進(jìn)一步推動(dòng) 3D 封裝技術(shù)的發(fā)展。
曝光視場(chǎng)示例 IT之家了解到，新產(chǎn)品繼承了半導體光刻機“FPA-5520iV”的多項基本性能。例如可以靈活應對再構成基板翹曲等在封裝工藝中對量產(chǎn)造成阻礙的問(wèn)題，以及在芯片排列偏差較大的再構成基板上測出 Alignment mark，從而提高生產(chǎn)效率。 ● 新產(chǎn)品繼承了“FPA-5520iV”中實(shí)現的基本性能。 ● 新產(chǎn)品搭載了應對較大翹曲問(wèn)題的基板搬運系統，可靈活應對目前應用于移動(dòng)終端封裝的主流技術(shù) ——FOWLP※6 中存在的再構成基板出現較大翹曲的問(wèn)題，這一問(wèn)題也是實(shí)現量產(chǎn)的阻礙。 ● 新產(chǎn)品搭載了大視野 Alignment scope，針對芯片排列偏差較大的再構成基板，也可以測出 Alignment mark。 ● 新產(chǎn)品可適用于以芯片為單位進(jìn)行定位并曝光的 Die by Die Alignment 技術(shù)。
什么是半導體制造的后道工藝 在半導體芯片的制造工藝中，半導體光刻機負責“曝光”電路圖案。在曝光的一系列工藝中，在硅晶圓上制造出半導體芯片的工藝稱(chēng)為前道工藝。另一方面，保護精密的半導體芯片不受外部環(huán)境的影響，并在安裝時(shí)實(shí)現與外部的電氣連接的封裝工藝稱(chēng)為后道工藝。 |
