3300V碳化硅MOS器件承受更高的擊穿電壓,有更低的電阻率,工作溫度更高。
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碳化硅(SiC)現在作為一種成熟的技術(shù),在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應用中改變了電力行業(yè),覆蓋工業(yè)、能源和汽車(chē)等眾多領(lǐng)域。 |
3300V 好產(chǎn)品 |
碳化硅(SiC)MOS高溫 高頻 高電壓 |
3300V碳化硅MOS器件承受更高的擊穿電壓 |
SiC MOSFET(碳化硅MOS)柵極驅動(dòng)以及柵極驅動(dòng)器示例https://pan.baidu.com/s/1Q2xAZ-VtV8TqV9prNflA9g提取碼bbbc |
碳化硅SiC MOSFETs功率管柵極驅動(dòng)基礎知識 - 電子工程網(wǎng) http://selenalain.com/thread-825360-1-1.html |
3300V碳化硅MOS業(yè)界領(lǐng)先的國產(chǎn)(SiC)功率器件 - 無(wú)源器件/分立半導體 - 電子工程網(wǎng) http://selenalain.com/thread-857169-1-1.html |
碳化硅MOS(SiC MOSFET)特性 - 電子工程網(wǎng) http://selenalain.com/thread-841262-1-1.html |
碳化硅MOS驅動(dòng)設計及SiC柵極驅動(dòng)器示例 - 模擬電子技術(shù) - 電子工程網(wǎng) http://selenalain.com/thread-838162-1-1.html |
碳化硅MOSFET驅動(dòng)設計合訂本https://pan.baidu.com/s/1OuA0xE_3WQ7RTXWszbFrug 提取碼8gxs |