3300V碳化硅MOS器件承受更高的擊穿電壓,有更低的電阻率,工作溫度更高(SiC MOSFET)。

發(fā)布時(shí)間:2023-3-10 09:38    發(fā)布者:Eways-SiC
3300V碳化硅MOS器件承受更高的擊穿電壓,有更低的電阻率,工作溫度更高。 ASC20N3300MT4-PDF.pdf (846.96 KB) 更能勝任在特別需要更高耐壓以及雪崩等級的工業(yè)領(lǐng)域的設計要求,對要求高頻的應用更是不二選擇,高頻特性讓電路中的磁性單元體積更小,重量更輕。反向恢復時(shí)間“零”特性讓電路的開(kāi)關(guān)損耗大幅度降低,加上更優(yōu)異的熱傳導系數,讓工程師在設計散熱方面不再煩惱。最終讓總體成本得到優(yōu)化。



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Eways-SiC 發(fā)表于 2023-3-17 10:13:44
碳化硅(SiC)現在作為一種成熟的技術(shù),在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應用中改變了電力行業(yè),覆蓋工業(yè)、能源和汽車(chē)等眾多領(lǐng)域。
Eways-SiC 發(fā)表于 2023-5-29 10:51:46
3300V 好產(chǎn)品
Eways-SiC 發(fā)表于 2023-7-17 18:04:06
碳化硅(SiC)MOS高溫 高頻 高電壓
Eways-SiC 發(fā)表于 2023-8-17 10:51:40
3300V碳化硅MOS器件承受更高的擊穿電壓
Eways-SiC 發(fā)表于 2023-9-18 09:05:37
SiC MOSFET(碳化硅MOS)柵極驅動(dòng)以及柵極驅動(dòng)器示例https://pan.baidu.com/s/1Q2xAZ-VtV8TqV9prNflA9g提取碼bbbc
Eways-SiC 發(fā)表于 2024-2-20 17:11:37
碳化硅SiC MOSFETs功率管柵極驅動(dòng)基礎知識 - 電子工程網(wǎng)  http://selenalain.com/thread-825360-1-1.html
Eways-SiC 發(fā)表于 2024-7-4 16:40:41
3300V碳化硅MOS業(yè)界領(lǐng)先的國產(chǎn)(SiC)功率器件 - 無(wú)源器件/分立半導體 - 電子工程網(wǎng)  http://selenalain.com/thread-857169-1-1.html
Eways-SiC 發(fā)表于 2024-8-13 15:05:10
碳化硅MOS(SiC MOSFET)特性 -  電子工程網(wǎng)  http://selenalain.com/thread-841262-1-1.html
Eways-SiC 發(fā)表于 2024-10-23 11:55:54
碳化硅MOS驅動(dòng)設計及SiC柵極驅動(dòng)器示例 - 模擬電子技術(shù) - 電子工程網(wǎng)  http://selenalain.com/thread-838162-1-1.html
Eways-SiC 發(fā)表于 2025-2-12 09:07:53
碳化硅MOSFET驅動(dòng)設計合訂本https://pan.baidu.com/s/1OuA0xE_3WQ7RTXWszbFrug 提取碼8gxs
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