充電器是采用高頻電源技術(shù),運用智能動(dòng)態(tài)調整充電技術(shù)的充電設備。(充電器)充電機通過(guò)微機控制技術(shù),實(shí)現優(yōu)化的Wsa+Pulse充電特性曲線(xiàn),充電電流隨蓄電池的充電電壓的升高而自動(dòng)下降;結合充電末期的脈沖充電方式,使充電效果更為理想。 ![]() MOS,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管。mos管的工作原理是金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管(簡(jiǎn)稱(chēng)mos管),它是利用絕緣柵極下的p型區與源漏之間的擴散電流和電場(chǎng)在垂直方向上的不同導電特性來(lái)工作的。 MOS管的source(源極)和drain(漏極)是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個(gè)兩個(gè)區是一樣的,即使兩端對調也不會(huì )影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱(chēng)的。場(chǎng)效應管分為PMOS管(P溝道型)和NMOS(N溝道型)管,屬于絕緣柵場(chǎng)效應管。 MOS管特點(diǎn)是: 1. 柵極電壓很低,一般在幾伏到幾十伏之間; 2. 源漏電阻很大,一般都在幾百千歐以上; 3. 電流極小或為0,所以稱(chēng)為"零電阻",即對信號幾乎不產(chǎn)生任何影響; 4. 工作溫度范圍很寬,從-55°C至+150°C左右。 5. 放大倍數大、噪聲小、功耗低等優(yōu)良性能。 ![]() 推薦由工采網(wǎng)代理的一款來(lái)自臺灣美祿的MOS管,中高壓MOS管 - MPD04N65,不同的封裝尺寸MOS管具有不同的熱阻和耗散功率,需要考慮系統的散熱條件和環(huán)境溫度(如是否有風(fēng)冷、散熱器的形狀和大小限制、環(huán)境是否封閉等因素),基本原則就是:在保證功率MOS管的溫升和系統效率的前提下,選取參數和封裝更通用的功率MOS管。 中高壓MOS管 - MPD04N65的特性: 650V, 4A, RDS (ON)(Max.)= 2.7Ω@VGS = 10V. 低Crss 快速交換 100%雪崩測試 臺灣美祿在MOS管領(lǐng)域頗有建樹(shù),技術(shù)以及產(chǎn)品方面已經(jīng)很完善,如果想了解更多MOS管的技術(shù)資料,歡迎致電聯(lián)系:133 9280 5792(微信同號) ![]() |