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為了保護環(huán)境，降低功耗已成為全球面臨的重大挑戰，正因如此，變頻器日益廣泛用于各類(lèi)型設備。借助變頻器提高能效是重要目標。要求大電流和高功率的應用中通常使用硅（Si）IGBT，因為在大電流條件下，IGBT的飽和電壓低于MOSFET。然而，IGBT在關(guān)斷過(guò)程中的拖尾電流導致?lián)p耗增加，限制了其在高速開(kāi)關(guān)中的應用。 基于CoolSiC™ MOSFET的技術(shù)，CIPOS™ Maxi IPM IM828系列推出全球首款采用壓鑄模封裝的1200 V碳化硅IPM，集成了一個(gè)優(yōu)化的6通道1200V SOI柵極驅動(dòng)器和6個(gè)CoolSiC™ MOSFET。作為最小巧、最緊湊的1200V等級封裝，這款SiC MOSFET IPM使用簡(jiǎn)便，因為其嵌入式SOI柵極驅動(dòng)IC經(jīng)專(zhuān)門(mén)優(yōu)化，可減小開(kāi)關(guān)振蕩。此外，它采用緊湊式封裝，得益于使用具備很高熱導率的DBC基板，IM828-XCC提供的額定功率超過(guò)4.8 kW，具有出色的功率密度、可靠性和性能。它針對工業(yè)應用進(jìn)行了優(yōu)化，例如供暖通風(fēng)空調（HVAC），風(fēng)扇電機，泵和電機驅動(dòng)器的功率因數校正。采用先進(jìn)的電機控制引擎 （MCE），無(wú)需任何編碼即可實(shí)現最先進(jìn)的無(wú)傳感器磁場(chǎng)定向控制 （FOC）。 產(chǎn)品規格：EVAL-M1-IM828-A 相關(guān)器件：IM828-XCC，IMBF170R1K0M1，ICE5QSAG和IFX25001ME V33 ►場(chǎng)景應用圖 ►產(chǎn)品實(shí)體圖 ►展示板照片 ►方案方塊圖 
►核心技術(shù)優(yōu)勢 • 1200V 絕緣體上硅(SOI) 門(mén)極驅動(dòng)IC • 集成自舉功能 • 過(guò)電流保護 • 全通道欠壓鎖定保護 • 觸發(fā)保護時(shí)六個(gè)開(kāi)關(guān)器件全部關(guān)閉 • 內置死區時(shí)間，防止直通短路 • 獨立的熱敏電阻用于過(guò)溫保護 • 當VBS=15V時(shí)，允許負VS電勢達到-11V • 獨立的熱敏電阻用于過(guò)溫保護 • 三相橋低端開(kāi)路，適用于單/三電阻相電流采樣 • 故障清除時(shí)間可調 • 節約系統成本，設計簡(jiǎn)單 • 投入市場(chǎng)周期短 ►方案規格• 輸入電壓: 380~480VAC • 4.8kW電機功率輸出 • 輸出電流: 15A/19A (低速） • EMI濾波器 • 默認配置單相分流電流傳感 • 直流母線(xiàn)電壓檢測 • 故障診斷輸出 ► 技術(shù)文檔 點(diǎn)擊原文即可獲取~ |
