（供求）MT25QU512ABB1EW9-0SIT、MT25QU512ABB8E12-0SIT串行NOR閃存 512Mbit

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深圳市明佳達電子有限公司（供求）MT25QU512ABB1EW9-0SIT、MT25QU512ABB8E12-0SIT串行NOR閃存 512Mbit ，如有需求，歡迎聯(lián)系陳先生qq 1668527835 咨詢(xún)洽談。




器件說(shuō)明：
MT25QU512ABB 512Mbit 串行NOR閃存可滿(mǎn)足消費電子、工業(yè)、有線(xiàn)通信以及計算應用的需求。這些器件采用行業(yè)標準封裝、引腳分配、命令集和芯片組兼容性，易于為各類(lèi)設計所采用。這樣可節省寶貴的開(kāi)發(fā)時(shí)間，同時(shí)確保與現有和未來(lái)設計的兼容性。

Micron串行NOR閃存具有低引腳數，簡(jiǎn)單易用，是適用于編碼陰影應用的簡(jiǎn)單解決方案；只需在存儲器中提供一個(gè)起始地址用于讀取，然后即可在整個(gè)存儲器陣列中連續地從器件輸出數據。高級安全和內存保護等特性可讓您高枕無(wú)憂(yōu)，確保重要程序代碼和敏感用戶(hù)數據的安全。Micron的串行NOR閃存解決方案可滿(mǎn)足您的任何應用需求。該款雙四路串行NOR閃存在單一封裝中集成有兩個(gè)四路I/O器件，以打造8位雙向I/O結構。Micron雙四路串行NOR的工作頻率為166MHz，將上一代串行NOR的最高帶寬速率提高了一倍（從83MB/s到166MB/s）。



MT25QU512ABB1EW9-0SIT 規格：
存儲器類(lèi)型：非易失
存儲器格式：閃存
技術(shù)：FLASH - NOR
存儲容量：512Mbit
存儲器組織：64M x 8
存儲器接口：SPI
時(shí)鐘頻率：133 MHz
寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：8ms, 2.8ms
電壓 - 供電：1.7V ~ 2V
工作溫度：-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類(lèi)型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-WDFN 裸焊盤(pán)
供應商器件封裝：8-WPDFN (8x6) (MLP8)




MT25QU512ABB8E12-0SIT 規格：
存儲器類(lèi)型：非易失
存儲器格式：閃存
技術(shù)：FLASH - NOR
存儲容量：512Mbit
存儲器組織：64M x 8
存儲器接口：SPI
時(shí)鐘頻率：133 MHz
寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：8ms, 2.8ms
電壓 - 供電：1.7V ~ 2V
工作溫度：-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類(lèi)型：表面貼裝型
封裝/外殼：24-TBGA
供應商器件封裝：24-T-PBGA (6x8)




特性：
• 較低密度、低引腳數（串行）
• 簡(jiǎn)單易用
• 可靠的代碼和數據存儲
• 快速讀取和隨機訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間
• 較高的耐用性和數據保持力


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