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Transphorm FET 使用簡(jiǎn)單的半橋柵極驅動(dòng)器實(shí)現了高達 99% 的效率，驗證了在超過(guò) 1 kW 的寬功率范圍內具有成本效益的設計方案 新世代電力系統的未來(lái), 氮化鎵（GaN）功率轉換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅動(dòng)器解決方案。這款設計方案面向中低功率的應用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦，加強了公司在這個(gè)30億美元電力市場(chǎng)客戶(hù)的價(jià)值主張。 不同于同類(lèi)競爭的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅動(dòng)器或柵極保護器件的電平移位電路，Transphorm 的 SuperGaN® FET由于可以與市售的驅動(dòng)器搭配使用，更易于驅動(dòng)，因此可提升客戶(hù)使用Transphorm器件的成本優(yōu)勢。本次發(fā)布的新款解決方案采用高速、非隔離式、高電壓半橋柵極驅動(dòng)器，在不影響 GaN FET 或系統性能的情況下，進(jìn)一步降低了系統總成本。 Transphorm業(yè)務(wù)發(fā)展和市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)高級副總裁Philip Zuk表示：“我們的常關(guān)型氮化鎵平臺能夠與業(yè)界熟知的市售驅動(dòng)器配合使用，更適合市場(chǎng)應用，也更受市場(chǎng)歡迎。能夠根據需要來(lái)選定驅動(dòng)器，對客戶(hù)來(lái)說(shuō)是一個(gè)非常重要的優(yōu)勢�？蛻�(hù)可以為不同性能優(yōu)勢權重的設計挑選相應的驅動(dòng)，從而更好地控制電力系統的成本。這對價(jià)格敏感的終端市場(chǎng)尤為重要。Transphorm 的GaN能夠提供更高性能，采用我們的氮化鎵器件，客戶(hù)可以根據最終結果來(lái)挑選BOM，從而以極佳的成本效益實(shí)現所需的性能�！� Transphorm還推薦各種其它驅動(dòng)器，這些驅動(dòng)具有高額定隔離電壓（控制至輸出的驅動(dòng)信號）、短延遲、快速開(kāi)啟/關(guān)斷、以及可編程死區時(shí)間等等優(yōu)點(diǎn)，非常適合較高功率的應用。 電源適配器、電竟筆記本電腦充電器、LED照明、以及兩輪車(chē)和三輪車(chē)充電等中低功率應用對價(jià)格非常敏感，這些產(chǎn)品中的電源系統通常不需要類(lèi)似安全隔離這樣的先進(jìn)功能，使用高階的驅動(dòng)器可能導致BOM成本不必要升高。 性能分析 該半橋柵極驅動(dòng)器采用了 Transphorm 的 650 V、72 mΩ PQFN88 封裝器件 TP65H070LSG 進(jìn)行測試�？捎糜跇蚴酵負浣Y構，如諧振半橋、圖騰柱 PFC、正弦波逆變器或有源箝位反激式電路。 測試結果表明，無(wú)論是否使用散熱器或強制空氣進(jìn)行冷卻，該低成本的驅動(dòng)解決方案在低于/等于150kHz 的開(kāi)關(guān)頻率下均運行良好。此解決方案最終在選定的配置中實(shí)現了接近 99% 的效率。 獲取應用指南 如需了解有關(guān)上述解決方案的更多詳情，請下載Transphorm應用指南AN0014: 『面向中低功率 GaN FET 應用的低成本、高密度、高電壓硅驅動(dòng)器（Low Cost, High Density, High VoltageSilicon Driver for Low- to Mid-Power GaN FET Applications）。 |
