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存儲器制造是半導體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，也往往是一個(gè)國家發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的起點(diǎn)。 兆易創(chuàng )新就是以存儲器為起點(diǎn)的半導體公司。2009年，兆易創(chuàng )新推出了第一顆SPI NOR Flash。14年后，其存儲器市場(chǎng)占有率不斷提升，SPI NOR Flash已經(jīng)連續十年排名前三，目前已經(jīng)超過(guò)了20%。 在第11屆EEVIA年度中國硬科技媒體論壇暨產(chǎn)業(yè)鏈研創(chuàng )趨勢展望研討會(huì )上，兆易創(chuàng )新Flash 事業(yè)部產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理張靜介紹說(shuō)，兆易創(chuàng )新的存儲產(chǎn)品已經(jīng)擴大到27大產(chǎn)品系列、16種產(chǎn)品容量、4個(gè)電壓范圍、7款溫度規格、29種封裝方式，可以滿(mǎn)足各類(lèi)應用對全容量、高性能、低功耗、小封裝的需求。 車(chē)規產(chǎn)品 最初，兆易創(chuàng )新只能提供耐溫最高85℃的產(chǎn)品�，F在兆易創(chuàng )新不但擴展了工規的85℃產(chǎn)品線(xiàn)，而且可以支持車(chē)規125℃等級。 高容量 十年前，兆易創(chuàng )新NOR Flash產(chǎn)品的容量?jì)H128Mb。如今其N(xiāo)OR Flash的容量最大可達2Gb，完全覆蓋市場(chǎng)對Flash的所有容量需求。 大帶寬 雖然NOR Flash支持代碼片上運行，但大部分應用會(huì )把代碼加載到處理器RAM上去運行。隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴、汽車(chē)電子等新興領(lǐng)域的發(fā)展，更多客戶(hù)希望在Flash中直接運行代碼，這樣可以節省寶貴的RAM內存空間，從而降低系統成本。這就要求提高數據傳輸速率，做到及時(shí)響應以保證流暢的用戶(hù)體驗。針對此需求，兆易創(chuàng )新推出的高性能四口NOR Flash產(chǎn)品的傳輸速率可達每秒200Mb，八口的產(chǎn)品則達到每秒400Mb。 低電壓、低功耗 低電壓、低功耗是電子產(chǎn)品發(fā)展的趨勢，目的是節省能源、降低散熱并節省系統成本。 兆易創(chuàng )新推出了幾種供電電壓方案來(lái)滿(mǎn)足不同的應用需求，包括3V、1.8V、寬電壓的1.65-3.6V，再到更低的1.2V。 隨著(zhù)半導體工藝節點(diǎn)來(lái)到7nm以下，SoC的工作電壓降低到1.2V，外圍的Flash也要適應這種變化。如果核心供電為1.2V的SoC和1.8V的SPI NOR Flash通信，SoC需要增加升壓電路，將內部1.2伏電壓提升到1.8伏來(lái)匹配外部SPI NOR Flash的電壓水平，這就增加了電路設計的復雜度。為此，兆易創(chuàng )新推出了更低電壓的1.2V產(chǎn)品。 然而，1.2V的NOR Flash擦寫(xiě)性能會(huì )有所降低。因此，兆易創(chuàng )新推出了1.2V VIO方案：核心電壓依然是1.8V，但IO接口的電壓降低到1.2V，這樣它與SoC就可以無(wú)需電壓轉換而直接通信�？梢哉f(shuō)，1.2V VIO方案是兼顧高性能和低功耗兩種需求下最理想的Flash解決方案。 多種封裝 在電子產(chǎn)品小型化趨勢下，Flash也朝著(zhù)小封裝、大容量的方向發(fā)展。為此，兆易創(chuàng )推出了業(yè)界首顆1.2×1.2的USON6封裝形式，它易于焊接和封裝，比較耐用。還有WLCSP封裝，封裝尺寸與裸片相當，多用于穿戴式等消費電子產(chǎn)品。 大容量產(chǎn)品方面，兆易創(chuàng )新推出了業(yè)界最小尺寸的3mm×2mm FO-USON 8封裝64兆產(chǎn)品，它與USON 3mm×2mm的封裝完全兼容，無(wú)需更新PCB，而體積減少了70%。在128Mb的容量上，兆易創(chuàng )新推出了業(yè)界最小尺寸的FO-USON8 3mm×3mm封裝，與主流的USON8 6mm×5mm相比，減少了85%的占用空間。 總之，經(jīng)過(guò)十四年的不懈努力，兆易創(chuàng )新的產(chǎn)品技術(shù)得到了極大的豐富提高，成為了一個(gè)業(yè)界舉足輕重的存儲器產(chǎn)品供應商。 |
