75倍能效提升!我國存儲重大突破 最強存算一體芯片研制成功:美韓廠(chǎng)商側目

發(fā)布時(shí)間:2023-10-13 09:39    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 存儲 , 存算一體
來(lái)源:快科技

10月12日消息,我國存儲芯片上又有了新的大突破,而且是全球領(lǐng)先。

清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授吳華強、副教授高濱團隊基于存算一體計算范式,研制出全球首顆全系統集成的、支持高效片上學(xué)習(機器學(xué)習能在硬件端直接完成)的憶阻器存算一體芯片。

在支持片上學(xué)習的憶阻器存算一體芯片領(lǐng)域取得重大突破,有望促進(jìn)人工智能、自動(dòng)駕駛可穿戴設備等領(lǐng)域發(fā)展。相關(guān)成果在線(xiàn)發(fā)表于最新一期的《科學(xué)》雜志。

記憶電阻器(Memristor,憶阻器),是繼電阻、電容、電感之后的第四種電路基本元件。它可以在斷電之后,仍能“記憶”通過(guò)的電荷,被當做新型納米電子突觸器件。

存算一體架構徹底消除了數據在邏輯處理器與存儲芯片之間的搬遷問(wèn)題,減少能量消耗及延遲,在邊緣計算和云計算中有廣泛的應用前景。

相同任務(wù)下,該芯片實(shí)現片上學(xué)習的能耗僅為先進(jìn)工藝下專(zhuān)用集成電路(ASIC)系統的1/35,同時(shí)有望實(shí)現75倍的能效提升。
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