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來(lái)源：全球半導體觀(guān)察 近日存儲五大原廠(chǎng)（三星、SK海力士、美光、鎧俠、西部數據）紛紛發(fā)布了最新一季財報，各大廠(chǎng)商營(yíng)收虧損幅度均有所收窄，其中內存市場(chǎng)回溫明顯，部分較早布局DDR5 DRAM、LPDDR5X、HBM3/3E等存儲新技術(shù)的企業(yè)順利吃到行業(yè)紅利，實(shí)現扭虧為盈，閃存市場(chǎng)則逐漸觸底。 從價(jià)格行情看，據日本經(jīng)濟新聞近日報道，因中國客戶(hù)接受存儲芯片廠(chǎng)商的漲價(jià)要求，2024年1月指標性產(chǎn)品DDR4 8Gb以及4Gb產(chǎn)品批發(fā)價(jià)揚升。結合行業(yè)消息顯示，存儲芯片三大原廠(chǎng)控制供給，拉抬報價(jià)態(tài)度堅定。在DRAM部分，側重HBM和DDR5投資；NAND部分，則是力求不虧損銷(xiāo)售。 五大原廠(chǎng)財報出現好的信號 綜合來(lái)看，消費電子已出現復蘇信號，行業(yè)新的轉機正在孕育生成，AI催生存力新需求，五大原廠(chǎng)加速布局，2024年存儲市場(chǎng)有望迎來(lái)新的轉機。 三星電子：虧損幅度已有所減緩，消費電子已出現復蘇信號 三星電子公布了2023年第四季度（截至2023年12月31日）財報，該季營(yíng)收67.78萬(wàn)億韓元，環(huán)比增長(cháng)0.6%，同比下降3.8%。其中，存儲業(yè)務(wù)營(yíng)收15.71萬(wàn)億韓元，環(huán)比增長(cháng)49%，同比增長(cháng)29%。 2023年三星電子合并營(yíng)收258.94萬(wàn)億韓元，同比減少14.32%；營(yíng)利6.57萬(wàn)億韓元，同比減少84.85%，為十二年來(lái)最低點(diǎn)。資本支出方面，四季度同比減少25.53%降至14.0萬(wàn)億韓元。三星電子計劃到今年上半年為止，將NAND產(chǎn)量削減規模擴大40%-50%。 值得關(guān)注的是，從2023年四季度營(yíng)收利潤來(lái)看，其虧損幅度已有所減緩，消費電子已出現復蘇信號。三星表示，隨著(zhù)PC和移動(dòng)設備單機存儲容量增加，以及IT行業(yè)對生成式人工智能的投資不斷擴大，服務(wù)器需求出現了復蘇的跡象，三星電子存儲業(yè)務(wù)整體市場(chǎng)較上一季度出現復蘇。 三星預計未來(lái)需求將集中在先進(jìn)節點(diǎn)，存儲業(yè)務(wù)計劃將重點(diǎn)放在基于尖端節點(diǎn)競爭力的盈利能力上。今年一季度，三星將繼續專(zhuān)注包含HBM3和服務(wù)器SSD等高附加值產(chǎn)品在內的銷(xiāo)售，推動(dòng)盈利能力不斷改善。 2024年全年，盡管市場(chǎng)仍存在不確定性，但三星認為存儲業(yè)務(wù)將會(huì )繼續復蘇。終端市場(chǎng)由于A(yíng)I普及，PC和移動(dòng)設備單機存儲容量將增加。AI也將助力服務(wù)器增長(cháng)，隨著(zhù)服務(wù)器處理器向新平臺過(guò)渡，服務(wù)器需求也將逐漸復蘇。 SK海力士：四季度扭虧為盈，存儲新品營(yíng)收亮眼 SK海力士2023財年第四季度結合并收入為11.3055萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤為0.3460萬(wàn)億韓元，成功實(shí)現扭虧為盈。2023全年實(shí)現營(yíng)收32.766萬(wàn)億韓元，經(jīng)營(yíng)虧損7.73萬(wàn)億韓元，經(jīng)營(yíng)利潤率-24%。此外，2023年公司資本開(kāi)支同比減少50%降至9.5萬(wàn)億韓元，并預計2024年資本開(kāi)支同比小幅增長(cháng)。此前SK海力士表示，NAND的減產(chǎn)措施至少持續至2024年6月。 營(yíng)收主要增長(cháng)點(diǎn)上，SK海力士表示，去年在DRAM方面，公司以牽引市場(chǎng)的技術(shù)實(shí)力積極應對了客戶(hù)需求，結果公司主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的收入同比分別增長(cháng)4倍和5倍以上。另外，對于市況復蘇相對緩慢的NAND閃存，主要集中于投資和費用的效率化。 順應高性能DRAM需求的增長(cháng)趨勢，SK海力士將順利進(jìn)行用于A(yíng)I的存儲器HBM3E的量產(chǎn)和HBM4的研發(fā)，同時(shí)將DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量產(chǎn)品及時(shí)供應于服務(wù)器和移動(dòng)端市場(chǎng)。而且，公司為了應對持續增長(cháng)的AI服務(wù)器需求和端側AI的應用普及，將為準備高容量服務(wù)器模組MCRDIMM和移動(dòng)端模組LPCAMM2竭盡全力，由此持續保持技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。 NAND閃存方面，公司決定通過(guò)以eSSD等高端產(chǎn)品為主擴大銷(xiāo)售，改善盈利并加強內部管理。 美光：做好準備緊抓AI機遇，HBM業(yè)績(jì)大漲 美光公布了截至2023年11月30日的2024財年第一財季財報，該季美光營(yíng)收47.3億美元，同比增長(cháng)15.6%，環(huán)比上升17.86%。第一財季營(yíng)業(yè)虧損9.55億美元，較去年同期收窄20.9%。 展望未來(lái)，美光表示已做好充分準備，抓住人工智能為終端市場(chǎng)帶來(lái)的巨大機遇，預計第二財季營(yíng)收為53億美元，上下浮動(dòng)2億美元，相當于指引范圍為51億到55億美元，同比增長(cháng)38.2%到49.1%。業(yè)務(wù)基本面將在2024年得到改善，行業(yè)TAM（Total Addressable Market，總潛在市場(chǎng)）預計將在2025年實(shí)現突破。 美光預計2024財年資本支出在75億美元至80億美元之間，均高于去年資本支出和此前規劃，主要是為了支持HBM3E的產(chǎn)量增長(cháng)。其中，美光認為2024財年WFE（wafer fab equipment，前端晶圓設備）資本開(kāi)支將同比下降。美光在馬來(lái)西亞和臺灣建設先進(jìn)組裝和測試設施，另外投資計劃已獲中國批準，正在繼續此前宣布的西安封測廠(chǎng)擴建計劃。 美光業(yè)績(jì)高度受益于本輪AI浪潮，美光CEO Sanjay Mehrotra對外透露，得益于生成式AI的火爆，推動(dòng)了云端高性能AI芯片對于高帶寬內存（HBM）的旺盛需求，美光2024年的HBM產(chǎn)能預計已全部售罄。同時(shí)，2024年P(guān)C銷(xiāo)售量有望成長(cháng)1~5%，結束連續兩年跌勢; 智能手機需求也有望出現復蘇跡象、2024年將稍微成長(cháng)（grow modestly）。 鎧俠：預計智能手機和PC領(lǐng)域需求將持續復蘇 鎧俠公布的截至2023年12月31日的2023財年三季度財報顯示，鎧俠單季度營(yíng)收2620億日元（約合17.4億美元），環(huán)比增長(cháng)20.6%；營(yíng)業(yè)損失650億日元（約合4.3億美元），虧損環(huán)比改善35.8%；凈虧損649億日元（約合4.3億美元），環(huán)比增長(cháng)21.1%。 
圖片來(lái)源：鎧俠 技術(shù)方面，鎧俠在車(chē)用存儲市場(chǎng)率先引入UFS4.0嵌入式存儲設備，并發(fā)布了2TB microSDXC存儲卡。 另外，鎧俠表示，其與西部數據位于四日市和北上的合資工廠(chǎng)已獲批獲得日本政府提供高達1500億日元的補貼。 對于后市展望，由于終端客戶(hù)庫存不斷改善以及存儲原廠(chǎng)持續控制產(chǎn)能釋出，鎧俠預計，存儲市場(chǎng)的供需情況以及產(chǎn)品售價(jià)不斷改善。在PC和智能手機需求方面，隨著(zhù)終端客戶(hù)庫存改善、AI嵌入PC和智能手機、單位存儲容量增長(cháng)以及軟件更新帶來(lái)的換機需求，預計智能手機和PC領(lǐng)域需求將持續復蘇。服務(wù)器和企業(yè)級SSD需求方面，已有信號表明客戶(hù)庫存水位正恢復正�；由掀髽I(yè)IT支出復蘇，預計2024下半年需求將開(kāi)始復蘇。 西數：持續推進(jìn)閃存業(yè)務(wù)改善，重啟與鎧俠合并談判 近日，西部數據公布了2024第二財季（截至2023年12月29日）業(yè)績(jì)，該季營(yíng)收30.32億美元，環(huán)比增長(cháng)10%，同比下降2%；凈虧損2.10億美元，凈利潤率-6.9%。主要原因是受到閃存和HDD業(yè)務(wù)結構性調整的影響。值得注意的是，該季西部數據NAND毛利率轉正至7.9%。 按業(yè)務(wù)劃分，西部數據云業(yè)務(wù)營(yíng)收為10.71億美元，同比下降13%;客戶(hù)業(yè)務(wù)營(yíng)收為11.22億美元，同比增長(cháng)3%;消費者業(yè)務(wù)營(yíng)收為8.39億美元，同比增長(cháng)6%；按照產(chǎn)品劃分，NAND Flash部門(mén)的營(yíng)收由2022年同期的16.6億美元增加到16.7億美元，硬盤(pán)部門(mén)營(yíng)收13.7億美元。 西部數據執行長(cháng)David Goeckeler表示，將以積極管理庫存的策略，加上提供范圍更廣的產(chǎn)品，做好成本調控，注重研發(fā)等作為，有信心西部數據的獲利能夠改善。 此前西部數據表示，將在2024年下半年之前剝離其閃存業(yè)務(wù)。在與日本Kioxia（鎧俠）合并該業(yè)務(wù)的談判陷入停滯后，閃存業(yè)務(wù)一直在努力應對供應過(guò)剩的問(wèn)題。目前，鎧俠和西部數據正積極重啟合并談判。據外媒消息，日本產(chǎn)業(yè)省周二表示，將向鎧俠和西部數據提供2429億日元（約合16.4億美元）補貼，幫助它們在三重縣和巖手縣擴大存儲芯片生產(chǎn)。日本工業(yè)大臣齋藤健表示，支持日本芯片制造商鎧俠與西部數據合并。并預計未來(lái)內存市場(chǎng)將大幅增長(cháng)，包括用于生成式人工智能的內存。 看好AI動(dòng)能，原廠(chǎng)積極布局HBM 目前，以手機、PC為代表的消費電子市場(chǎng)需求回溫還不足以支撐存儲巨頭業(yè)績(jì)快速增長(cháng)，但大廠(chǎng)不約而同增加2024年的資本支出，主要動(dòng)因還在于A(yíng)I帶來(lái)的市場(chǎng)增量。目前，主流AI訓練芯片為了提升帶寬更好地發(fā)揮算力，都采用了HBM與算力芯片進(jìn)行合封。AI服務(wù)器端成長(cháng)性明顯，從ChatGPT到今年OpenAI最新推出的文生視頻模型Sora，以及各廠(chǎng)自建的AI大模型，都需要用到AI 服務(wù)器。 據TrendForce集邦咨詢(xún)表示，2024年DRAM及NAND Flash在各類(lèi)AI延伸應用，如智能手機、服務(wù)器、筆電的單機平均搭載容量均有成長(cháng)，又以服務(wù)器領(lǐng)域成長(cháng)幅度最高，Server DRAM單機平均容量預估年增17.3%；Enterprise SSD則預估年增13.2%。
服務(wù)器方面，伴隨AI服務(wù)器需求持續增加，AI高端芯片如NVIDIA H200/B100、AMD MI350及云端服務(wù)業(yè)者（CSP）自研ASIC陸續推出或開(kāi)始量產(chǎn)。但由于Training AI Server是目前市場(chǎng)主流，其擴大采用的存儲器是以有助于高速運算的DRAM產(chǎn)品為主，故相較于NAND Flash，DRAM的單機平均搭載容量成長(cháng)幅度更高，Server DRAM預估年增率17.3%，Enterprise SSD則約13.2%。 目前頭部三星、SK海力士、美光三大巨頭在HBM上的擴產(chǎn)也是史無(wú)前例。 三星：2024年HBM產(chǎn)量將比去年提高2.5倍，2025年再提高2倍 三星電子從2023年四季度開(kāi)始擴大HBM3的供應。此前2023年四季度三星內部消息顯示，已經(jīng)向客戶(hù)提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品，并計劃在今年上半年開(kāi)始量產(chǎn)。到下半年，其占比預計將達到90%左右�！必撠熑敲绹雽w業(yè)務(wù)的執行副總裁Han Jin-man則在今年CES 2024上表示，三星今年的HBM芯片產(chǎn)量將比去年提高2.5倍，明年還將繼續提高2倍。 三星官方還透露，公司計劃在今年第四季度之前，將 HBM 的最高產(chǎn)量提高到每月15萬(wàn)至17萬(wàn)件，以此來(lái)爭奪2024年的HBM市場(chǎng)。此前三星電子斥資105億韓元收購了三星顯示位于韓國天安市的工廠(chǎng)和設備，以擴大HBM產(chǎn)能，同時(shí)還計劃投資7000億至1萬(wàn)億韓元新建封裝線(xiàn)。 SK海力士：3月量產(chǎn)全球首款第五代高帶寬存儲器HBM3E 2月20日，據韓媒最新消息，SK海力士將于今年3月開(kāi)始量產(chǎn)全球首款第五代高帶寬存儲器HBM3E，計劃在下個(gè)月內向英偉達供應首批產(chǎn)品。 SK海力士則表示，“我們無(wú)法確認與客戶(hù)相關(guān)的任何信息�！� SK海力士在財報中表示，計劃在2024年增加資本支出，并將生產(chǎn)重心放在HBM等高端存儲產(chǎn)品上，HBM的產(chǎn)能對比去年將增加一倍以上，此前海力士曾預計，到2030年其HBM出貨量將達到每年1億顆，并決定在2024年預留約10萬(wàn)億韓元（約合76億美元）的設施資本支出——相較2023年6萬(wàn)億-7萬(wàn)億韓元的預計設施投資，增幅高達43%-67%。 擴產(chǎn)的重點(diǎn)是新建和擴建工廠(chǎng)，去年6月有韓媒報道稱(chēng)，SK海力士正在準備投資后段工藝設備，將擴建封裝HBM3的利川工廠(chǎng)，預計到今年年末，該廠(chǎng)后段工藝設備規模將增加近一倍。 此外，SK海力士還將在美國印第安納州建造一座最先進(jìn)的制造工廠(chǎng)，據英國《金融時(shí)報》消息，這家韓國芯片制造商將在這家工廠(chǎng)生產(chǎn)HBM堆棧，這些堆棧將用于臺積電生產(chǎn)的Nvidia GPU，SK集團董事長(cháng)表示，該工廠(chǎng)預計耗資220億美元。 美光：繼續趕追，押寶HBM4 美光在全球HBM市場(chǎng)份額占比較低，為了縮小差距，美光對其下一代產(chǎn)品HBM3E下了很大的賭注，美光首席執行官Sanjay Mehrotra表示：“我們正處于為Nvidia下一代AI加速器提供HBM3E的驗證的最后階段�！逼溆媱澯�2024年初開(kāi)始大批量發(fā)貨HBM3E內存，同時(shí)強調其新產(chǎn)品受到了整個(gè)行業(yè)的極大興趣，這暗示NVIDIA可能不是唯一最終使用美光HBM3E的客戶(hù)。 在這場(chǎng)沒(méi)有占據先發(fā)優(yōu)勢的比拼中，美光似乎押寶在下一代HBM4這一尚未確定的標準上。官方消息顯示，美光披露了暫名為HBM next的下一代HBM內存，其預計HBM Next將提供36GB和64GB容量，能提供多種配置。與三星和SK海力士不同，美光并不打算把HBM和邏輯芯片整合到一個(gè)芯片中，在下一代HBM發(fā)展上，韓系和美系內存廠(chǎng)商涇渭分明，美光可能會(huì )告訴AMD、英特爾和英偉達，大家可以通過(guò)HBM-GPU這樣的組合芯片獲得更快的內存訪(fǎng)問(wèn)速度，但是單獨依賴(lài)某一家的芯片就意味著(zhù)更大風(fēng)險。 據TrendForce集邦咨詢(xún)了解，HBM4預計規劃于2026年推出，目前包含NVIDIA以及其他CSP（云端業(yè)者）在未來(lái)的產(chǎn)品應用上，規格和效能將更優(yōu)化。受到規格更往高速發(fā)展帶動(dòng)，將首次看到HBM最底層的Logic die（又名Base die）采用12nm制程wafer，該部分將由晶圓代工廠(chǎng)提供，使得單顆HBM產(chǎn)品需要結合晶圓代工廠(chǎng)與存儲器廠(chǎng)的合作。 再者，隨著(zhù)客戶(hù)對運算效能要求的提升，HBM4在堆棧的層數上，除了現有的12hi (12層)外，也將再往16hi (16層)發(fā)展，更高層數也預估帶動(dòng)新堆棧方式hybrid bonding的需求。HBM4 12hi產(chǎn)品將于2026年推出；而16hi產(chǎn)品則預計于2027年問(wèn)世。 |
