大聯(lián)大旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN器件-INN650TA030AH、INN650TA070AH和INN650D080BS芯片的2KW PSU服務(wù)器電源方案。
圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的2KW PSU服務(wù)器電源方案的展示板圖 近年來(lái)，工業(yè)領(lǐng)域對GaN的需求逐步攀升。根據AKCP機構測算，2023年網(wǎng)絡(luò )設備、通信設備以及數據中心等的能耗將占全球總用電量的21%左右，成為了實(shí)現“碳中和”目標最大的挑戰之一。其中，海量的數據需求將繼續加快數據中心的建設速度。因此，具備更高效率和更高功率密度的解決方案成為數據中心供電系統的迫切需求。在此趨勢下，大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience InnoGaN器件-INN650TA030AH、INN650TA070AH、和INN650D080BS芯片推出2KW PSU服務(wù)器電源方案，旨在利用先進(jìn)的GaN器件助力服務(wù)器電源實(shí)現更出色的能效。
圖示2-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的2KW PSU服務(wù)器電源方案的場(chǎng)景應用圖 本方案采用Innoscience旗下InnoGaN 650V GaN芯片實(shí)現功率轉換，其中，PFC慢橋臂采用2顆INN650TA030AH，其采用Toll封裝、導通電阻為30mΩ；PFC快橋臂采用2顆INN650TA070AH，其同樣采用Toll封裝，導通電阻為70mΩ；LLC橋臂采用4顆INN650D080BS，其采用DFN8*8封裝，導通電阻為80mΩ。與Si MOS相比，Innoscience產(chǎn)品具備低Qg、低Co（tr）以及無(wú)反向恢復損耗Qrr等特性。 通過(guò)效率測試，在輸入電壓230Vac/264Vac的條件下，本方案的最高效率可達到96.5%，能輕松滿(mǎn)足80 Plus鈦金級能效標準，進(jìn)一步為數據中心提供高效電源。不僅如此，在通信電源、LED照明等應用中，本方案同樣具備小體積、高效率的優(yōu)勢，具有廣泛的應用前景。
圖示3-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的2KW PSU服務(wù)器電源方案的方塊圖 Innoscience在數據中心領(lǐng)域進(jìn)行了多年的產(chǎn)品布局，旗下?lián)碛袕那岸薖SU電源到主板DC/DC模塊，以及芯片直接供電的全鏈路解決方案。未來(lái)隨著(zhù)GaN的優(yōu)越性能逐漸顯現，其相關(guān)技術(shù)將在更多應用中大放異彩。在這個(gè)過(guò)程中，大聯(lián)大將與Innoscience攜手共進(jìn)、共同開(kāi)發(fā)先進(jìn)的解決方案，助力客戶(hù)加快GaN技術(shù)的應用。 核心技術(shù)優(yōu)勢： 高效率：在230Vac Vin下效率高達96.5%，符合80Plus鈦金級能效標準； 高功率密度：76W/in3； 1U標準尺寸：185mm×65mm×36mm（PCBA）。 方案規格： 效率：96.5%@230Vac（80 Plus鈦金級能效）； 功率密度：76W/in3； InnoGaN： INN650TA070AH *2； INN650TA030AH *2； INN650D080BS *4。 |
