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來(lái)源：全球半導體觀(guān)察整理 據云塔科技消息，1月15日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國家重點(diǎn)研發(fā)計劃“戰略性科技創(chuàng )新合作”重點(diǎn)專(zhuān)項“基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁異質(zhì)集成射頻微系統芯片研究”項目啟動(dòng)會(huì )暨實(shí)施方案論證會(huì )在云塔科技（安努奇）舉行。 該項目是由中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)牽頭，香港科技大學(xué)作為香港方合作單位以及安徽安努奇科技有限公司作為參研單位，共同開(kāi)展聯(lián)合攻關(guān)。 消息稱(chēng)，項目面向國家在高頻、大帶寬和高功率密度戰略性高端通信芯片和射頻模組的迫切需求，開(kāi)展基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁（GaN/AlScN）異質(zhì)集成射頻微系統芯片研究，充分結合中科大、港科大、安努奇科技三方在射頻前端領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢與產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗，針對關(guān)鍵技術(shù)難題組建課題攻關(guān)小組，提高射頻微系統芯片的技術(shù)創(chuàng )新能力，實(shí)現攻堅克難與關(guān)鍵核心技術(shù)的突破，促進(jìn)我國射頻前端整體水平進(jìn)入國際先進(jìn)行列。 |
