芯片制造業(yè)計算負載提速 40-60 倍,臺積電和新思科技推進(jìn)部署英偉達 cuLitho 平臺

發(fā)布時(shí)間:2024-3-19 08:33    發(fā)布者:eechina
來(lái)源:IT之家

英偉達今天發(fā)布新聞稿,宣布臺積電和新思科技(Synopsys)正推進(jìn)部署使用英偉達的計算光刻平臺,以加速制造并推動(dòng)下一代先進(jìn)半導體芯片的物理極限。

臺積電和新思科技已決定在其軟件、制造工藝和系統中集成英偉達的 cuLitho 計算光刻平臺,加快芯片制造速度,并在未來(lái)支持最新一代英偉達 Blackwell 架構 GPU。

黃仁勛在 GTC 開(kāi)發(fā)者大會(huì )上表示:“計算光刻技術(shù)是芯片制造的基石。我們與臺積電、Synopsys 合作開(kāi)發(fā)的 cuLitho 應用了加速計算和生成式人工智能,為半導體規;_(kāi)辟了新的領(lǐng)域!

英偉達還推出了全新的生成式人工智能算法,增強了用于 GPU 加速計算光刻技術(shù)的庫 cuLitho,相比較目前基于 CPU 的方法,顯著(zhù)改善了半導體制造工藝。

IT之家注:半導體制造過(guò)程中,計算光刻是最密集的工作負載,每年耗費 CPU 數百億小時(shí)。

芯片生產(chǎn)的關(guān)鍵步驟之一,就是需要耗費 3000 萬(wàn)小時(shí)的 CPU 時(shí)間來(lái)計算典型的掩模集,因此半導體代工廠(chǎng)通常會(huì )建立大型數據中心。

英偉達表示 350 個(gè)英偉達 H100 系統現在可以取代 40,000 個(gè) CPU 系統,從而加快了生產(chǎn)時(shí)間,同時(shí)降低了成本、空間和功耗。

英偉達表示 cuLitho 的優(yōu)勢已經(jīng)在臺積電生產(chǎn)過(guò)程中顯現,兩家公司共同實(shí)現了曲線(xiàn)流程速度(curvilinear flows)提高 45 倍,傳統的曼哈頓式流程(traditional Manhattan-style flows)提高近 60 倍。

英偉達開(kāi)發(fā)了應用生成式人工智能的算法,以進(jìn)一步提升 cuLitho 平臺的價(jià)值。在通過(guò) cuLitho 實(shí)現的加速流程基礎上,新的生成式人工智能工作流程還能額外提高 2 倍的速度。

通過(guò)應用生成式人工智能,可以創(chuàng )建近乎完美的反向掩膜或反向解決方案,以考慮光的衍射。然后通過(guò)傳統的嚴格物理方法得出最終光罩,從而將整個(gè)光學(xué)近似校正(OPC)流程的速度提高了兩倍。

目前,晶圓廠(chǎng)工藝中的許多變化都需要修改 OPC,從而增加了所需的計算量,并在晶圓廠(chǎng)開(kāi)發(fā)周期中造成了瓶頸。cuLitho 提供的加速計算和生成式人工智能可減輕這些成本和瓶頸,使工廠(chǎng)能夠分配可用的計算能力和工程帶寬,在開(kāi)發(fā) 2 納米及更先進(jìn)的新技術(shù)時(shí)設計出更多新穎的解決方案。
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