新思科技與英特爾深化EDA與IP合作,全球首發(fā)基于18A工藝的PowerVia背面供電代工方案

發(fā)布時(shí)間:2025-5-22 10:42    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 新思科技 , 英特爾 , EDA , PowerVia
在近日舉行的英特爾代工Direct Connect 2025大會(huì )上,全球EDA與IP解決方案領(lǐng)導者新思科技(Synopsys)宣布與英特爾代工服務(wù)(Intel Foundry Services, IFS)達成深度合作,推出覆蓋Intel 18A及18A-P工藝節點(diǎn)的全棧式設計解決方案。雙方聯(lián)合實(shí)現業(yè)界首個(gè)商用PowerVia背面供電技術(shù)代工方案,并依托AI驅動(dòng)的數字和模擬設計流程,為AI、高性能計算(HPC)及數據中心芯片提供從硅片到系統的全鏈路加速能力。

技術(shù)突破:AI驅動(dòng)設計流程+PowerVia背面供電雙引擎

此次合作的核心亮點(diǎn)包括:

AI驅動(dòng)設計流程認證:新思科技數字和模擬設計流程已通過(guò)英特爾18A工藝認證,并針對18A-P工藝完成量產(chǎn)優(yōu)化。其AI算法可動(dòng)態(tài)調整晶體管級參數,將設計迭代周期縮短30%,功耗優(yōu)化效率提升25%。
PowerVia背面供電商用化:作為全球首個(gè)支持PowerVia技術(shù)的EDA方案,新思科技通過(guò)熱效應感知功能實(shí)現供電網(wǎng)絡(luò )與信號互連的物理隔離,將芯片功耗降低18%,信號完整性提升40%。該方案已應用于英特爾18A工藝風(fēng)險試產(chǎn)芯片,良率達到92%以上。
3D IC平臺協(xié)同優(yōu)化:新思科技3DIC Compiler平臺無(wú)縫集成英特爾EMIB 2.5D與Foveros 3D封裝技術(shù),支持UCIe接口自動(dòng)布線(xiàn)與芯粒(Chiplet)互連驗證,可將多裸晶芯片系統設計周期壓縮50%。



IP組合:覆蓋PCIe 7.0、224G以太網(wǎng)等下一代接口

為加速客戶(hù)產(chǎn)品上市,新思科技推出針對18A工藝的全場(chǎng)景IP組合:

高速接口IP:PCIe 6.0/7.0、224G以太網(wǎng)、UCIe 2.0,其中PCIe 7.0 IP基于PAM4調制技術(shù),單通道速率達112GT/s,較PCIe 5.0提升4倍。
基礎IP與SLM IP:嵌入式存儲器、邏輯庫、IO庫及PVT傳感器,支持-40℃至125℃寬溫域工作,滿(mǎn)足車(chē)規級芯片需求。
芯片生命周期管理IP:內置硬件級安全引擎與實(shí)時(shí)健康監測模塊,可預測芯片退化并觸發(fā)動(dòng)態(tài)修復。

生態(tài)協(xié)同:從18A到14A-E的代際演進(jìn)

雙方合作已延伸至英特爾下一代工藝節點(diǎn):

18A-P工藝量產(chǎn)準備:新思科技EDA工具包針對18A-P的RibbonFET晶體管與增強型PowerVia技術(shù)完成優(yōu)化,支持0.6V超低電壓設計,能效比達18A工藝的1.3倍。
14A-E工藝早期協(xié)同:新思科技已啟動(dòng)針對14A-E工藝的設計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化(DTCO),重點(diǎn)攻克PowerDirect直接觸點(diǎn)供電技術(shù)與1.8nm以下制程的光刻對準難題。

市場(chǎng)影響:重塑埃米級芯片競爭格局

據Counterpoint Research預測,2026年全球基于18A及以下工藝的AI芯片市場(chǎng)規模將突破120億美元,年復合增長(cháng)率達65%。新思科技與英特爾的合作將直接推動(dòng):

AI推理芯片能效革命:通過(guò)PowerVia技術(shù)與新思科技IP組合,AI推理芯片的每瓦性能(TOPS/W)可提升2倍,加速大模型在邊緣端的部署。
數據中心算力躍遷:基于18A工藝的HPC芯片支持每秒千萬(wàn)億次浮點(diǎn)運算(PetaFLOPS),配合新思科技224G以太網(wǎng)IP,可構建單柜100TB/s帶寬的AI集群。
芯粒生態(tài)標準化:作為英特爾代工芯粒聯(lián)盟創(chuàng )始成員,新思科技將推動(dòng)UCIe 2.0與3D IC平臺的互操作性標準,降低芯粒設計門(mén)檻。

行業(yè)評價(jià):從工具鏈到生態(tài)鏈的范式升級

英特爾代工生態(tài)系統技術(shù)辦公室副總裁Suk Lee表示:“與新思科技的合作不僅限于工具鏈優(yōu)化,更通過(guò)PowerVia、RibbonFET等創(chuàng )新技術(shù)的聯(lián)合攻關(guān),實(shí)現了設計-制造-封裝的‘三域協(xié)同’?蛻(hù)可基于雙方方案,在6個(gè)月內完成從架構定義到流片的全流程!

新思科技IP事業(yè)部高級副總裁John Koeter指出:“埃米級工藝對EDA與IP的要求已超越傳統PPA(功耗、性能、面積)范疇,需融入熱管理、應力分析、安全防護等多維度考量。我們的解決方案正是為此而生!
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