超結MOS在全橋電路上的應用-REASUNOS瑞森半導體

發(fā)布時(shí)間:2024-5-29 15:40    發(fā)布者:REASUNOS
一、前言
全橋電路定義
全橋電路是一種常見(jiàn)的電子電路,由四個(gè)開(kāi)關(guān)管和一個(gè)負載組成,可將直流電轉換為交流電。
全橋電路的應用領(lǐng)域
全橋電路廣泛應用于電力電子領(lǐng)域,如開(kāi)關(guān)電源、變頻器、逆變器、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域 。在電路中,全橋電路可以使直流電轉換成交流電;在電機控制中,全橋電路可用于變頻調速和正弦波控制。

多層外延超結MOS在全橋電路上的應用


二、全橋電路的原理
全橋電路通過(guò)控制開(kāi)關(guān)管的通斷來(lái)改變電源與負載之間的電壓極性,實(shí)現對負載的驅動(dòng)。在上半周期內,開(kāi)關(guān)管Q1、Q4閉合,Q2、Q3斷開(kāi),電源的正極通過(guò)Q1進(jìn)入負載,負載的負極通過(guò)Q4回到電源的負極。在下半周期內,開(kāi)關(guān)管Q2、Q3閉合,Q1、Q4斷開(kāi),電源的正極通過(guò)Q3進(jìn)入負載,負載的負極通過(guò)Q2回到電源的負極。這樣就能實(shí)現直流電源向交流負載的轉換。

全橋線(xiàn)路的工作原理


三、全橋電路對于MOS管的需求
(1)主要損耗構成:①MOS管的導通損耗直接由導通Rdson決定,要求MOS管的Rdson更低。②MOS管的開(kāi)關(guān)損耗,由MOS管的米勒平臺等參數決定,要求MOS管開(kāi)關(guān)特性好,開(kāi)關(guān)速度快,交越損耗;
(2)后端是感性負載,需要二極管反向續流,要求功率MOS二極管反向恢復特性較好,具有較短反向恢復時(shí)間trr。
四、全橋電路MOS管選型
根據不同的應用需求,全橋電路還可分為全橋逆變電路、全橋整流電路等,瑞森半導體多層外延超結MOS系列,可應用于全橋電路不同的應用中。
瑞森半導體超結MOS全系列采用多層外延工藝,具有低導通損耗、大通流能力、低柵極電荷、低開(kāi)啟電壓、出色的非鉗位感性開(kāi)關(guān)能力等工藝特色。再加上我司對產(chǎn)品進(jìn)行百分之百的雪崩能量擊穿測試等自有標準;產(chǎn)品對標英飛凌C3、 P6、P7系列 ; 封裝產(chǎn)品豐富,為設計者們提供了極大的靈活性。

全橋電路MOS管選型推薦超結MOS系列


全橋電路作為一種常見(jiàn)的電路拓撲結構,具有良好的電流/電壓控制能力。針對全橋電路不同的應用場(chǎng)景,瑞森半導體提供整體功率半導體解決方案。

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