新型存儲技術(shù)迎制程突破

發(fā)布時(shí)間:2024-6-4 16:04    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 存儲技術(shù)
來(lái)源:全球半導體觀(guān)察

近日,三星電子對外表示,8nm版本的eMRAM開(kāi)發(fā)已基本完成,正按計劃逐步推進(jìn)制程升級。資料顯示,eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲技術(shù),屬于面向嵌入式領(lǐng)域的MRAM(磁阻存儲器)。與傳統DRAM相比,eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性,不需要像DRAM一樣刷新數據,同時(shí)寫(xiě)入速度是NAND的1000倍數。

基于上述特性,業(yè)界看好eMRAM未來(lái)前景,尤其是在對性能、能效以及耐用性較高的場(chǎng)景中,eMRAM被寄予厚望。

三星電子是eMRAM主要生產(chǎn)商之一,致力于推動(dòng)eMRAM在汽車(chē)領(lǐng)域的應用。三星于2019年開(kāi)發(fā)并量產(chǎn)業(yè)界首款基于28nm FD-SOI的eMRAM,具備28nm eMRAM生產(chǎn)能力之后,另?yè)襟w報道,三星還計劃2024年量產(chǎn)14nm eMRAM,2026年量產(chǎn)8nm eMRAM,2027年量產(chǎn)5nm eMRAM。

三星對eMRAM在未來(lái)車(chē)用領(lǐng)域的應用充滿(mǎn)信心,并表示其產(chǎn)品耐溫能力已達到150~160℃,完全能夠滿(mǎn)足汽車(chē)行業(yè)對半導體的嚴苛要求。

近年,大數據、人工智能等應用不斷普及,帶來(lái)了海量存儲需求,同時(shí)也對存儲技術(shù)提出了更高要求,于是新型存儲技術(shù)不斷涌現,其中SCM(Storage Class Memory)是具有代表性的技術(shù),它結合了DRAM和閃存的特點(diǎn),具有DRAM的高速讀寫(xiě)性能,又擁有NAND閃存的持久存儲能力,有望解決DRAM存儲器容量小、易失性和高成本等問(wèn)題,產(chǎn)品主要包含相變存儲器(PCM)、阻變存儲器(ReRAM)、磁阻存儲器(MRAM)和納米管RAM(NRAM)等。

除了三星之外,今年以來(lái)鎧俠、字節跳動(dòng)等公司也在新型存儲領(lǐng)域有所動(dòng)作。4月,鎧俠CTO宮島英史對外表示,與同時(shí)運營(yíng)NAND和DRAM的競爭對手相比,鎧俠在業(yè)務(wù)豐富程度上面處于競爭劣勢,有必要培育SCM(Storage Class Memory)等新型存儲產(chǎn)品業(yè)務(wù)。為發(fā)力先進(jìn)存儲技術(shù),鎧俠還將“存儲器技術(shù)研究實(shí)驗室”重組為“先進(jìn)技術(shù)研究實(shí)驗室”。

3月媒體報道,字節跳動(dòng)投資國內存儲芯片公司昕原半導體,成為該公司的第三大股東。資料顯示,昕原半導體專(zhuān)注于ReRAM新型存儲技術(shù)及相關(guān)芯片產(chǎn)品的研發(fā),產(chǎn)品涵蓋高性能工控/車(chē)規SoC/ASIC芯片、存算一體(Computing in Memory, CIM)IP及芯片、系統級存儲(System-on-Memory, SoM)芯片三大應用領(lǐng)域。

AI浪潮之下,高容量、高性能存儲產(chǎn)品重要性不斷凸顯,HBM無(wú)疑是當前最受關(guān)注的產(chǎn)品,市況供不應求,產(chǎn)值持續攀升。

全球市場(chǎng)研究機構TrendForce集邦咨詢(xún)此前預計,2023年HBM產(chǎn)值占比之于DRAM整體產(chǎn)業(yè)約8.4%,至2024年底將擴大至20.1%。同時(shí),新型存儲技術(shù)也不斷涌現,3D DRAM時(shí)代即將開(kāi)啟;SCM潛力即將釋放,PCIe 6.0/7.0蓄勢待發(fā)…
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