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IBM本周發(fā)明了一項革命性的新技術(shù)，這一技術(shù)的問(wèn)世會(huì )將電子設備的運行、載入速度大大提高。 IBM當地時(shí)間周二宣布了自己在所謂“相變化內存”(Phase Change Memory, PCM)技術(shù)上取得的重大進(jìn)步，而這一技術(shù)進(jìn)步則將幫助我們突破現有電子設備運行速度的瓶頸。 事實(shí)上，“相變化內存”多年來(lái)一直處于研發(fā)階段，但IBM認為這項技術(shù)的成本已降至了可被消費者電子設備接受的范圍內。同時(shí)，這一技術(shù)對于諸如Facebook這些需要迅速訪(fǎng)問(wèn)大量信息的企業(yè)也會(huì )帶來(lái)巨大幫助。 據悉，IBM研究員哈里斯-珀奇迪斯(Haris Pozidis)在當時(shí)間周二的巴黎存儲技術(shù)大會(huì )上首次公布了公司取得的這一成績(jì)，而他則相信“相變化內存”會(huì )在2017年正式投入商用。 簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，“相變化內存”需要對芯片內特殊微型玻璃材料進(jìn)行電加熱，而這些材料中每個(gè)單元的降溫方式則決定了芯片中所保存的數據大小。比如，在逐步降溫的過(guò)程中，材料原子將會(huì )呈晶格式排列。而在迅速降溫時(shí)，材料原子的排列將雜亂無(wú)章。不過(guò)，IBM已經(jīng)對這項技術(shù)進(jìn)行了改進(jìn)以確保其能夠存儲更多的數據位。而早在2011年，IBM就成功實(shí)現了在單個(gè)單位中保存兩位數據。 在本周巴黎存儲技術(shù)大會(huì )上，珀奇迪斯宣布“相變化內存”單位已可以保存三位數據。而在一塊芯片中保存更多的數據就意味著(zhù)這一技術(shù)成本的下降，因此其相較于傳統存儲技術(shù)也更具競爭優(yōu)勢。 平心而論，我們大多數人都將計算機、電子設備在近年來(lái)取得的逐步進(jìn)步認作是理所應當的事情。但事實(shí)上，無(wú)論是筆記本變得更薄還是網(wǎng)絡(luò )速度變得更快的背后都凝聚了無(wú)數人的辛勤勞動(dòng)和付出。而且，將一項新技術(shù)正式投入商用也不是一件簡(jiǎn)單的事情。 目前，我們使用的手機和PC設備通常會(huì )同時(shí)使用兩種技術(shù)保存數據，它們分別是能耗較大的DRAM動(dòng)態(tài)存儲和存取速度較慢、成本較低、即便在斷電情況下也能保存數據的閃存。不過(guò)，“相變化內存”結合了DRAM和閃存的優(yōu)點(diǎn)。具體來(lái)說(shuō)就是，DRAM動(dòng)態(tài)存儲的存取速度是“相變化內存”的5到10倍，但后者的存取速度卻是閃存的70倍左右。因此，使用“相變化內存”技術(shù)的手機應用加載速度將比閃存更快。 IBM預計，“相變化內存”的未來(lái)成本將會(huì )低于DRAM，甚至可以降至與閃存相當的水平。當然，要想讓“相變化內存”技術(shù)的制造成本降低至閃存的水平也并非易事。因為如今依舊有許多廠(chǎng)商在繼續改進(jìn)閃存技術(shù)，且取得了不錯的成效。其中一個(gè)最為明顯的例子就是，第一代iPad的最大存儲容量?jì)H為64GB，而最新iPadPro的最大內存已經(jīng)提高至了256GB級別。 --騰訊科技 |
