有延遲環(huán)節的burst控制中得到響應時(shí)間變化規律的仿真分析方法

發(fā)布時(shí)間:2024-10-28 18:42    發(fā)布者:eechina
作者: 汪月亮 英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區 高級主任工程師

摘要: 在電源芯片的數字控制方法中,經(jīng)常引入延遲環(huán)節。在引入延遲環(huán)節后,分析電路響應的方法特別是定量計算會(huì )變得比較復雜。本文通過(guò)對一種有延遲環(huán)節的burst控制方法的分析,提出一種可用于工程實(shí)踐的方法,那就是通過(guò)電路分析,用在靜態(tài)工作點(diǎn)作瞬態(tài)響應仿真的方法得到參數調試方向。

        引言

在現代電源芯片設計中,模數結合的方法已經(jīng)很常見(jiàn)。數字控制的方法的好處是:抗干擾能力強; 控制精確; 靈活性好; 系統的兼容性好; 方便實(shí)現電源管理。在數字控制模式中,可以輕松引入延遲環(huán)節,讓控制更加靈活,高效。這種方法帶來(lái)的問(wèn)題是,在引入延遲環(huán)節后,在電源工程設計中,最常見(jiàn)的用零極分布來(lái)分析電路響應的方法不再適用。引入延遲環(huán)節后,通常傳遞函數用(G(s)=e^τs)來(lái)表示,但在真實(shí)過(guò)程中,τ 的不確定性讓分析難度加大。在工程實(shí)踐中, 仿真的辦法,是快速理解與找到解決問(wèn)題的有效手段。那么如何設定仿真模型可以得到理想的結果就很重要。本文將基于對一種burst控制方法的理解,給出一種在靜態(tài)工作點(diǎn)作瞬態(tài)響應仿真的方法來(lái)獲得對這類(lèi)問(wèn)題的理解與工程解決方法。

        一種有延遲環(huán)節的burst控制方法

在這種控制方法里,如圖一所示,當芯片進(jìn)入主動(dòng)BURST 模式后,芯片停止發(fā)出驅動(dòng)脈沖,也就是圖中VCS信號沒(méi)有出現的區間,因為輸出電壓的下跌,反饋作用的拉電流(一般是光藕的作用)消失,芯片的FB引腳上的電壓在內部電流的作用下開(kāi)始快速上升,直到VFB_BON 信號,并重新喚醒芯片發(fā)出驅動(dòng)脈沖,讓下跌中的輸出電壓回歸正常值。

上面的分析過(guò)程是一種設計想得到的理想狀態(tài)。在實(shí)際應用中,我們會(huì )發(fā)現,在輸出電容較小,不合理的反饋設計下,FB引腳上的電壓快速上升的時(shí)間會(huì )遠大于芯片理想的設計時(shí)間,輸出電壓的跌落幅度變得不可接受。理論上應該消失的從光藕反饋過(guò)來(lái)的拉電流并不會(huì )因為輸出電壓的跌落馬上消失,這將導致,輸出電壓跌落過(guò)多,而且傳統經(jīng)典的適用于線(xiàn)性時(shí)不變系統的控制理論,無(wú)法很好的解釋與解決這個(gè)問(wèn)題。

burst 控制方法如下圖


圖一:burst 控制方法

        常見(jiàn)的控制電路及靜態(tài)工作點(diǎn)的分析


圖二:常見(jiàn)反饋電路

如圖二所示,這是一種常見(jiàn)的由TL431 與光藕組成反饋電路,反饋補償是Ⅱ類(lèi)補償電路。輸出電壓為12V。靜態(tài)工作點(diǎn)主要是確定兩個(gè)反饋電容在穩態(tài)時(shí)的電壓值。         

首先定義光藕的工作狀態(tài):  CTR :50%;  VF: 1.45V
定義光藕的工作電流:IF: 0.33mA (備注:此電流由芯片工作狀態(tài)決定)
定義TL431參考腳電壓: Vref: 2.5V
定義輸出電壓:Vout=12V
反饋補償的電容(C1,C2)上的電壓為: Vout-VF-(IF*R5)-Vref
得到反饋補償的電容(C1,C2)上的電壓為: 12V-1.45V-(0.33mA x1k)-2.5V ≈ 8V
由此得到在12V穩態(tài)下,C1,C2上的電壓為8V

        仿真建立方法與等效仿真模型

實(shí)際工程樣機為一臺60W,12V/5A的電源,控制芯片的burst 控制方法如前圖一所示

        假定設計目標為進(jìn)入burst態(tài),重新發(fā)出驅動(dòng)時(shí),12V 輸出電壓的跌落小于0.5V,以此設定仿真的電壓源,如圖所示,12V 的輸出,電壓源取11.5V
        反饋網(wǎng)絡(luò )取值等同于實(shí)際電路取值
        用二極管取代光藕,去光藕的CTR 動(dòng)態(tài)
        用流經(jīng)二極管的電流等效芯片反饋(FB)電壓的變化速率
        設定反饋電容的初始電壓為系統輸出電壓為12V 穩態(tài)時(shí)的初始電壓(如圖為8V)
        選定SIMETRIX為仿真工具,分析模型選擇瞬態(tài)分析。

建立的仿真電路如下圖三所示。


圖三:仿真電路

這種仿真分析方法的目的是用來(lái)幫助理解電路的工作與工程實(shí)踐中的元件參數的調試方向。很明顯,流經(jīng)此二極管的電流會(huì )影響電源控制芯片反饋(FB) 腳上電壓的上升,控制的目標就是,讓這一路電流盡快掉到最小,以得到反饋(FB)電壓的上升。

仿真結果如下:

電路的初始參數如圖三所示

選取不同的反饋電阻值,如圖三中的R2(3k-100k),對流經(jīng)光藕的電流IPROB2分析,得到圖四,圖五,不同反饋補償電阻值下的光藕電流隨時(shí)間變化規律。


圖四:不同反饋補償電阻值下的光藕電流隨時(shí)間變化規律


圖五:不同反饋補償電阻值下的光藕電流隨時(shí)間變化規律(放大版)

選取不同的反饋電容值,圖三中的C1(10nF-1uF) ,對流經(jīng)光藕的電流IPROB2分析,得到圖六。


圖六:不同反饋補償電容(C1)值下的光藕電流隨時(shí)間變化規律

選取不同的反饋電容值,圖三中的C2(1nF-100nF),對流經(jīng)光藕的電流IPROB2分析,得到圖七。


圖七:不同反饋補償電容(C2)值下的光藕電流隨時(shí)間變化規律

        仿真結果分析

從仿真的結果看,環(huán)路補償的三個(gè)參數對流過(guò)光藕的電流,即同比于FB上升(延時(shí))到重新開(kāi)啟輸出驅動(dòng)的時(shí)間,影響很不相同。電阻R2的選擇影響很大,超過(guò)一定值后,開(kāi)始收斂,影響開(kāi)始變化不大。選好較大值的R2 后,與之串聯(lián)的C1,對結果影響很小。而極點(diǎn)電容C2 ,值選的越大,結果越差。

從理論分析來(lái)看,如圖三所示,當電源主控芯片停止發(fā)驅動(dòng), 輸出下跌后,TL431的參考電壓低于TL431的基準電壓2.5V,TL431的陰極電壓就會(huì )上升,這個(gè)上升的電壓會(huì )通過(guò)反饋補償網(wǎng)絡(luò )R1,C1,C2補償TL431的基準電壓,如果基準電壓被重新抬升到2.5V,TL431會(huì )重新導通,產(chǎn)生拉電流,這個(gè)電流會(huì )有部分流過(guò)光藕,影響了流過(guò)光藕的電流收斂速度,并與陰極上升的電壓建立一定程度的動(dòng)態(tài)平衡。這與仿真的結果是一致的。

        實(shí)驗驗證

在實(shí)際應用中,C2的值一般都比較小,主要考慮R2 ,C1的影響,為此實(shí)驗選擇了一臺60W,輸出12V/5A 的電源,按照圖三的反饋網(wǎng)絡(luò ),選取不同參數,測試FB引腳上的電壓快速上升的時(shí)間(TR),來(lái)驗證仿真結果。實(shí)際測試中,為了得到系統進(jìn)出Burst的條件,負載設為動(dòng)態(tài),從1A到0.3A動(dòng)態(tài)變化。波形八到十三的圖中,曲線(xiàn)C1為實(shí)測的FB 引腳上的電壓波形,曲線(xiàn)C2為芯片的驅動(dòng)波形。

1)選取參數如下:首先定義電容C2的值為1nF,定義電容C1 的值為100nF,選取不同的電阻R2 的值: 3K,9.1K,20K,75K。(結果見(jiàn)圖八,圖九,圖十, 圖十一)
2)選取參數如下:首先定義電容C2的值為1nF, 定義R2 的值為75K,選取不同的C1 的值:  1uF,10nF. (結果見(jiàn)圖十二,十三)

實(shí)際測試結果如下表一和表二

表一: 上升時(shí)間隨R2 變化表
C2=1nF;C1=100nF
R23K9.1K20K75K
TR740uS582.6uS427.8uS259uS

表二: 上升時(shí)間隨C1的變化表
C2=1nF;  R2=75k
C110nF100nF1uF
TR250.6uS259uS276.6uS


圖八:3K/100nF 740Us


圖九:9.1K/100nF 582.6US


圖十:20K/100nF 427.8uS


圖十一:75k/100nF 259uS


圖十二:75K /1uF 276.6uS


圖十三:75K/10nF 250.6uS

        結論

從實(shí)測的結果來(lái)看,反饋電壓(FB)的上升時(shí)間與仿真的結果,變化的方向完全一致。因而,這種仿真方法能在這種有延遲環(huán)節的burst控制方法中得到響應時(shí)間的變化規律,在反饋補償網(wǎng)絡(luò )中,選擇較大的反饋電值,與較小的極點(diǎn)電容,有利于讓流過(guò)光藕的電流快速收斂至最小值。利用在靜態(tài)工作點(diǎn)作瞬態(tài)響應仿真的方法可以快速得到近似工程解。

參考文獻:
        ICE5ARXXXBZS 數據表,英飛凌科技股份有限公司
        DEMO 5GSAG 60W1演示板,英飛凌科技股份有限公司
        Model 310, 0.01 Hz - 30 MHz Frequency Response Analyzer
        開(kāi)關(guān)電源環(huán)路中的TL431, Christophe Basso
        Designing control loops for linear and switching power supplies, Christophe Basso

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