繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓和在馬來(lái)西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導體晶圓廠(chǎng)之后，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）再次在半導體制造技術(shù)領(lǐng)域取得新的里程碑。英飛凌在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進(jìn)展，這種晶圓直徑為300㎜，厚度為20μm。厚度僅有頭發(fā)絲的四分之一，是目前最先進(jìn)的40-60μm晶圓厚度的一半。
英飛凌科技首席執行官Jochen Hanebeck表示：“這款全球最薄的硅晶圓展現了我們致力于通過(guò)推動(dòng)功率半導體技術(shù)的發(fā)展，為客戶(hù)創(chuàng )造非凡的價(jià)值。英飛凌在超薄晶圓技術(shù)方面的突破標志著(zhù)我們在節能功率解決方案領(lǐng)域邁出了重要一步，并且有助于我們充分發(fā)揮全球低碳化和數字化趨勢的潛力。憑借這項技術(shù)突破，英飛凌掌握了Si、SiC和GaN這三種半導體材料，鞏固了我們在行業(yè)創(chuàng )新方面的領(lǐng)先優(yōu)勢�！�
這項創(chuàng )新將有助于大幅提高功率轉換解決方案的能效、功率密度和可靠性，適用于A(yíng)I數據中心，以及消費、電機控制和計算應用。與基于傳統硅晶圓的解決方案相比，晶圓厚度減半可將基板電阻降低 50%，從而使功率系統中的功率損耗減少15%以上。對于高端AI服務(wù)器應用來(lái)說(shuō)，電流增大會(huì )推動(dòng)能源需求上升，因此，將電壓從 230 V 降低到 1.8 V 以下的處理器電壓，對于功率轉換來(lái)說(shuō)尤為重要。超薄晶圓技術(shù)大大促進(jìn)了基于垂直溝槽 MOSFET 技術(shù)的垂直功率傳輸設計。這種設計實(shí)現了與AI芯片處理器的高度緊密連接，在減少功率損耗的同時(shí)，提高了整體效率。 英飛凌科技電源與傳感系統事業(yè)部總裁Adam White表示：“新型超薄晶圓技術(shù)推動(dòng)了我們以最節能的方式為從電網(wǎng)到核心的不同類(lèi)型的AI服務(wù)器配置提供動(dòng)力的雄心。隨著(zhù)AI數據中心的能源需求大幅上升，能效變得日益重要。這給英飛凌帶來(lái)了快速發(fā)展的機遇�；谥须p位數的增長(cháng)率，預計我們的AI業(yè)務(wù)收入在未來(lái)兩年內將達到10億歐元�！� 由于將芯片固定在晶圓上的金屬疊層厚度大于20μm，因此為了克服將晶圓厚度降低至20μm的技術(shù)障礙，英飛凌的工程師們必須建立一種創(chuàng )新而獨特的晶圓研磨方法。這極大地影響了薄晶圓背面的處理和加工。此外，與技術(shù)和生產(chǎn)相關(guān)的挑戰，如晶圓翹曲度和晶圓分離，對確保晶圓穩定性和一流穩健性的后端裝配工藝也有重大影響。20μm薄晶圓工藝以英飛凌現有的制造技術(shù)為基礎，確保新技術(shù)能夠無(wú)縫集成到現有的大批量Si生產(chǎn)線(xiàn)中，而不會(huì )產(chǎn)生額外的制造復雜性，從而保證盡可能高的產(chǎn)量和供應安全性。 該技術(shù)已獲得認可，并被應用于英飛凌的集成智能功率級（直流-直流轉換器）中，且已交付給首批客戶(hù)。同時(shí)，該技術(shù)還擁有與 20 μm晶圓技術(shù)相關(guān)的強大專(zhuān)利組合，體現了英飛凌在半導體制造領(lǐng)域的創(chuàng )新領(lǐng)先優(yōu)勢。隨著(zhù)目前超薄晶圓技術(shù)的發(fā)展，英飛凌預測在未來(lái)三到四年內，現有的傳統晶圓技術(shù)將被用于低壓功率轉換器的替代技術(shù)所取代。這項突破進(jìn)一步鞏固了英飛凌在市場(chǎng)上的獨特地位。英飛凌目前擁有全面的產(chǎn)品和技術(shù)組合，覆蓋了基于Si、SiC和GaN的器件，這些器件是推動(dòng)低碳化和數字化的關(guān)鍵因素。 11月12-15日，英飛凌將在2024年慕尼黑國際電子元器件博覽會(huì )（C3展廳502號展臺）上公開(kāi)展示首款超薄硅晶圓。 |
