英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件

發(fā)布時(shí)間:2024-11-20 18:02    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: CoolGaN , 氮化鎵 , GaN
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN 650 V G5晶體管,該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵(GaN)產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛,包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數據中心、電信整流器等消費和工業(yè)開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、可再生能源,以及家用電器中的電機驅動(dòng)器。


CoolGaN 650 V G5晶體管

最新一代CoolGaN晶體管可直接替代CoolGaN 600 V G1晶體管,實(shí)現了現有平臺的快速重新設計。新器件改進(jìn)了性能指標,確保為重點(diǎn)應用帶來(lái)具有競爭力的開(kāi)關(guān)性能。與主要同類(lèi)產(chǎn)品和英飛凌之前的產(chǎn)品系列相比,CoolGaN 650 V G5晶體管輸出電容中存儲的能量(Eoss)降低了多達50%,漏源電荷(Qoss)和柵極電荷(Qg)均減少了多達 60%。憑借這些特性,新器件在硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應用中都具有出色的效率。與傳統的半導體技術(shù)相比,其功率損耗大幅降低,根據具體使用情況可降低20%-60%。

這些優(yōu)勢使該系列器件能夠在高頻率下以極低的功耗工作,因此具有出色的功率密度。CoolGaN 650 V G5晶體管使SMPS應用變得更小、更輕,或在規定外形尺寸的情況下提高輸出功率范圍。

該新型高壓晶體管產(chǎn)品系列提供多種 RDS(on) 封裝組合。十種 RDS(on) 級產(chǎn)品采用各種SMD封裝,如 ThinPAK 5x6、DFN 8x8、TOLL 和 TOLT。所有產(chǎn)品均在奧地利菲拉赫和馬來(lái)西亞居林的高性能8英寸生產(chǎn)線(xiàn)上生產(chǎn)。未來(lái),CoolGaN將過(guò)渡到 12 英寸生產(chǎn)線(xiàn)。這將使英飛凌進(jìn)一步擴大其CoolGaN產(chǎn)能,并確保在GaN功率市場(chǎng)上擁有穩健的供應鏈。Yole Group預測到2029年,該市場(chǎng)規模將達到 20 億美元[1]。

供貨情況

目前可向英飛凌訂購CoolGaN 650 V G5晶體管產(chǎn)品系列,未來(lái)幾周將開(kāi)放電商訂購渠道。更多信息,敬請訪(fǎng)問(wèn)www.infineon.com/gan。

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