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今日，SK海力士宣布成功量產(chǎn)全球首款321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存，這一創(chuàng )新標志著(zhù)NAND閃存技術(shù)邁入了一個(gè)全新的高度。 SK海力士表示，此次量產(chǎn)的321層NAND閃存不僅突破了技術(shù)界限，還率先實(shí)現了超過(guò)300層的NAND閃存量產(chǎn)。與前一代的238層NAND閃存相比，這款新型閃存在數據傳輸速度和讀取性能上分別提升了12%和13%，同時(shí)在能效方面也提高了10%以上。這一顯著(zhù)的性能提升，無(wú)疑將為數據中心、智能手機、個(gè)人電腦等設備提供更強大、更高效的存儲支持。 
在開(kāi)發(fā)過(guò)程中，SK海力士采用了高效的“3-Plug”工藝技術(shù)，該工藝涉及三次通孔工藝流程的優(yōu)化，確保了多個(gè)通孔之間的電氣連接得以有效實(shí)施。通過(guò)引入低變形材料和通孔間的自動(dòng)排列矯正技術(shù)，SK海力士克服了堆疊技術(shù)中的諸多挑戰，成功實(shí)現了更為緊湊和穩定的堆疊結構。這不僅提升了閃存的性能穩定性，還有效減少了制造過(guò)程中的誤差，提高了產(chǎn)品的可靠性。 此外，SK海力士在開(kāi)發(fā)過(guò)程中沿用了與238層NAND閃存相同的開(kāi)發(fā)平臺，最大限度地減少了工藝切換的影響，并將生產(chǎn)效率提高了59%。這一生產(chǎn)效率的提升，使得SK海力士能夠以更具競爭力的價(jià)格提供高性能的存儲產(chǎn)品，進(jìn)一步鞏固了其在存儲器產(chǎn)業(yè)鏈中的地位。 SK海力士計劃從2025年上半年起向客戶(hù)提供321層NAND閃存產(chǎn)品，以滿(mǎn)足市場(chǎng)對高性能存儲的不斷增長(cháng)的需求。隨著(zhù)數據量的不斷增加，傳統的存儲解決方案往往難以滿(mǎn)足用戶(hù)的需求。而321層NAND閃存的高性能特性，無(wú)疑將為各種應用場(chǎng)景提供更快、更高效的解決方案。無(wú)論是在高性能游戲、高清視頻播放，還是在日常多任務(wù)操作中，其出色的速度和穩定性都能極大提升用戶(hù)體驗。 SK海力士NAND開(kāi)發(fā)負責人表示：“最新的發(fā)展，使公司離以AI數據中心和設備端AI的SSD為代表的AI存儲市場(chǎng)的領(lǐng)導地位又近了一步�！边@一技術(shù)突破不僅將推動(dòng)SK海力士在A(yíng)I存儲市場(chǎng)的競爭力，也將對整個(gè)存儲行業(yè)產(chǎn)生深遠的影響。 |
