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據國外媒體報道，半導體制造商長(cháng)江存儲（YMTC）近日宣布，已開(kāi)始正式出貨其第五代3D TLC NAND閃存產(chǎn)品。這款創(chuàng )新的存儲芯片不僅采用了先進(jìn)的Xtacking 4.0架構，而且在結構上實(shí)現了294層堆疊，并擁有232個(gè)有源層，標志著(zhù)長(cháng)江存儲在3D NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域的又一重大突破。 長(cháng)江存儲的第五代3D TLC NAND閃存，通過(guò)Xtacking 4.0架構的引入，顯著(zhù)提升了存儲密度和I/O性能。Xtacking 4.0架構利用了混合鍵合技術(shù)，將閃存陣列與CMOS邏輯和接口高效連接，從而優(yōu)化了存儲單元的布局，最大限度地提高了存儲密度。據業(yè)內人士透露，該閃存的位密度已超過(guò)20Gb/mm²，雖然略低于鎧俠和西部數據BiCS8 QLC NAND閃存的22.9Gb/mm²，但這一成就已經(jīng)使長(cháng)江存儲在全球NAND市場(chǎng)中占據了有力競爭地位。 長(cháng)江存儲的第五代3D TLC NAND閃存不僅在存儲密度上有所提升，還在讀寫(xiě)性能和能效方面取得了顯著(zhù)進(jìn)步。Xtacking 4.0架構的引入帶來(lái)了多項技術(shù)創(chuàng )新，如Centered X-DEC芯片設計、背面源極連接（BSSC）、減小垂直柵極間距、20個(gè)無(wú)虛設孔的垂直通道孔設計等，這些創(chuàng )新共同提升了閃存的性能和可靠性。此外，相對較小的芯片尺寸和增加的位密度也意味著(zhù)在相同空間內可以存儲更多數據，這對于滿(mǎn)足當前和未來(lái)數據存儲需求具有重要意義。 此次長(cháng)江存儲第五代3D TLC NAND閃存的出貨，不僅是對公司技術(shù)實(shí)力的證明，也為中國半導體產(chǎn)業(yè)的崛起注入了新的動(dòng)力。隨著(zhù)技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)的不斷拓展，長(cháng)江存儲有望在全球NAND閃存市場(chǎng)中占據更加重要的位置。 |
