|
近日，三星電子宣布，其半導體研究所已成功完成了一項具有里程碑意義的研發(fā)——突破性400層NAND技術(shù)的開(kāi)發(fā)。 據悉，三星電子于今年早些時(shí)候開(kāi)始著(zhù)手研發(fā)400層NAND技術(shù)，并在短時(shí)間內取得了顯著(zhù)的進(jìn)展。該技術(shù)涉及垂直堆疊存儲單元，通過(guò)增加存儲單元的層數，大幅度提高了存儲密度和效率。相比傳統的平面（2D）NAND技術(shù)，3D NAND技術(shù)具有更高的存儲性能和更低的能耗，是當前存儲技術(shù)發(fā)展的重要方向。 三星電子在400層NAND技術(shù)的研發(fā)過(guò)程中，引入了“三重堆疊”技術(shù)，將存儲單元堆疊成三層，這一創(chuàng )新使得存儲單元的堆疊更加緊密，進(jìn)一步提升了存儲性能。該技術(shù)的成功研發(fā)，不僅為三星電子在NAND閃存市場(chǎng)占據領(lǐng)先地位提供了有力支持，也為未來(lái)存儲技術(shù)的發(fā)展奠定了堅實(shí)基礎。 值得一提的是，三星電子計劃于2025年2月在美國舉行的國際固態(tài)電路會(huì )議（ISSCC）上，提供有關(guān)其1Tb容量400層三級單元（TLC）NAND的詳細公告。此外，三星電子還計劃于明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這種先進(jìn)的NAND閃存，以滿(mǎn)足市場(chǎng)對高性能存儲解決方案的需求。 隨著(zhù)全球大數據、人工智能等技術(shù)的快速發(fā)展，對存儲技術(shù)的需求也在不斷增長(cháng)。三星電子此次成功研發(fā)的400層NAND技術(shù)，將有助于提高數據存儲的密度和效率，滿(mǎn)足日益增長(cháng)的存儲需求。同時(shí)，該技術(shù)的成功也將為三星電子在全球半導體市場(chǎng)中的競爭提供有力支持。 除了400層NAND技術(shù)，三星電子還在不斷擴展其先進(jìn)產(chǎn)品線(xiàn)的產(chǎn)量。在平澤園區，三星電子計劃安裝新的第9代（286層）生產(chǎn)設施，該設施預計每月產(chǎn)能將達到3萬(wàn)至4萬(wàn)片晶圓。此外，三星電子的西安工廠(chǎng)也將繼續將128層（V6）NAND生產(chǎn)線(xiàn)轉換為236層（V8）產(chǎn)品工藝，以進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率。 |
