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來(lái)源：中國電子報 2010年，中芯國際將加強65納米的嵌入式工藝平臺和32納米關(guān)鍵模塊的研發(fā)；同時(shí)力爭實(shí)現45納米和40納米技術(shù)的小批量試產(chǎn)。 2010年半導體業(yè)將持續復蘇的勢頭，在通信和消費類(lèi)電子市場(chǎng)的帶動(dòng)下，相應的半導體產(chǎn)品市場(chǎng)出現了回升；低碳經(jīng)濟、綠色能源 這些新興市場(chǎng)的興起，也將給相應的半導體市場(chǎng)帶來(lái)發(fā)展契機。盡管受到了的國際金融危機的沖擊，但是中芯國際一直沒(méi)有減緩技術(shù)研發(fā)的進(jìn)度，相反在國際金融危機期間，公司的資源更多地分配給了研發(fā)部門(mén)。 目前，中芯國際已經(jīng)完成了65納米CMOS技術(shù)的認證，并于2009年第三季度開(kāi)始在北京廠(chǎng)小批量試產(chǎn)。中芯國際65納米技術(shù)前段采用的是應力工程和鎳硅合金工藝，后段采用的是低介電常數銅互連工藝。中芯國際還將繼續在65納米技術(shù)節點(diǎn)上拓展更多的技術(shù)種類(lèi)。 在65納米技術(shù)節點(diǎn)上，CMOS器件的電學(xué)參數更難以控制，為此，中芯國際引入了DFM(可制造性設計)，這樣不但提高了設計服務(wù)的能力，而且拓寬了IP庫。中芯國際和國內的設計公司協(xié)作，不僅研發(fā)出了通用的IP，而且為中國市場(chǎng)開(kāi)發(fā)出定制的IP。 0.11微米圖像傳感器技術(shù)是中芯國際和相關(guān)設計公司合作開(kāi)發(fā)的、具有國際先進(jìn)水平的集成電路制造技術(shù)。該技術(shù)結合并優(yōu)化了動(dòng)態(tài)存儲器及邏輯工藝，優(yōu)化了像素設計，形成了一個(gè)通用的工藝平臺，可以服務(wù)于從30萬(wàn)到300萬(wàn)像素的產(chǎn)品。中芯國際的0.11微米CMOS圖像傳感器技術(shù)不僅提供更高像素的圖像，而且其數字信號處理的能力更強，該技術(shù)可以滿(mǎn)足手機和圖像傳感器應用的所有需要。中芯國際的此項工藝完全自主研發(fā)，所用的工藝步驟優(yōu)于國外同行，有著(zhù)明顯的成本優(yōu)勢，其結構、技術(shù)水平和光學(xué)性能都達到了國際先進(jìn)水平。 2010年對于中芯國際來(lái)講是非常重要的一年，因為我們要完成一系列的里程碑式的任務(wù)：45/40納米的邏輯工藝平臺要為試生產(chǎn)做好準備，要增強65和40納米節點(diǎn)上的IP等等。所有這些技術(shù)創(chuàng )新都會(huì )增強中芯國際的芯片制造能力、IP能力、設計服務(wù)能力，最終一定會(huì )增強公司的贏(yíng)利能力。 |
