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美國當地時(shí)間2月19日，半導體設備巨頭泛林集團（Lam Research）正式宣布推出全球首臺鉬（Mo）原子層沉積（ALD）設備——ALTUS Halo。這一創(chuàng )新設備已在邏輯半導體和3D NAND領(lǐng)域獲得早期采用，標志著(zhù)半導體制造技術(shù)的又一重大突破。 ALTUS Halo是泛林集團基于其在原子層沉積領(lǐng)域深厚的專(zhuān)業(yè)知識和技術(shù)積累，專(zhuān)為滿(mǎn)足先進(jìn)半導體器件制造需求而設計的一款革命性設備。該設備利用鉬的獨特性質(zhì)，為半導體器件提供了卓越的特征填充和低電阻率、無(wú)空隙的金屬化沉積，從而大幅提升了芯片的性能和可靠性。 據泛林集團介紹，ALTUS Halo代表了半導體金屬化新時(shí)代的轉折點(diǎn)。隨著(zhù)下一代應用的性能要求不斷提高，對更先進(jìn)半導體和新制造工藝的需求也在增加。ALTUS Halo的推出，為未來(lái)人工智能、云計算和下一代智能設備的高級存儲器和邏輯芯片的擴展鋪平了道路。 在邏輯半導體領(lǐng)域，ALTUS Halo的高精度沉積技術(shù)使得芯片制造商能夠實(shí)現更復雜的電路設計和更高的集成度，從而提升了芯片的處理速度和能效。而在3D NAND領(lǐng)域，ALTUS Halo的卓越填充能力和低電阻率特性則使得存儲芯片的容量和性能得到了顯著(zhù)提升。 泛林集團高級副總裁兼全球產(chǎn)品集團總經(jīng)理Sesha Varadarajan表示：“基于泛林集團深厚的金屬化專(zhuān)業(yè)知識，ALTUS Halo是20多年來(lái)原子層沉積領(lǐng)域最重大的突破。它將泛林的四站模塊架構和ALD技術(shù)的新進(jìn)展結合在一起，為大批量生產(chǎn)提供了工程化的低電阻率鉬沉積，這是新興的、未來(lái)的芯片變化（包括千層3D NAND、4F2 DRAM、先進(jìn)GAA邏輯電路）的關(guān)鍵要求�！� 據悉，ALTUS Halo已在多家領(lǐng)先的芯片制造商處進(jìn)行了資格認證和爬坡，并獲得了積極反饋。這些制造商表示，ALTUS Halo的引入將顯著(zhù)提升他們的生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量，為他們在激烈的市場(chǎng)競爭中贏(yíng)得更多優(yōu)勢。 |
