2月21日，存儲技術(shù)領(lǐng)域的兩大巨頭——鎧俠（Kioxia）與閃迪（SanDisk）在國際固態(tài)電路會(huì )議（ISSCC 2025）上攜手發(fā)布了一項重大技術(shù)突破：第十代BiCS FLASH閃存技術(shù)。這一創(chuàng )新技術(shù)的發(fā)布，標志著(zhù)存儲行業(yè)在速度、功耗及存儲密度方面邁入了全新的發(fā)展階段。
據悉，第十代BiCS FLASH閃存技術(shù)采用了先進(jìn)的CMOS直接鍵合到陣列（CBA）技術(shù)，將每個(gè)CMOS晶圓和單元陣列晶圓單獨制造后粘合在一起。這一技術(shù)的運用，使得閃存芯片在結構上更加緊湊，性能更加卓越。同時(shí)，鎧俠與閃迪還引入了最新的Toggle DDR6.0接口標準和SCA協(xié)議，將NAND I/O接口速度從上一代的3.6Gbps提升至4.8Gbps，實(shí)現了33%的性能提升。 除了速度上的顯著(zhù)提升，第十代BiCS FLASH閃存技術(shù)在功耗控制方面也取得了顯著(zhù)成果。通過(guò)引入PI-LTT（電源隔離低抽頭終端）技術(shù)，該技術(shù)在數據輸入/輸出過(guò)程中實(shí)現了顯著(zhù)的功耗降低，其中輸入功耗減少了10%，輸出功耗更是降低了34%。這一功耗性能的提升，不僅有助于延長(cháng)設備的續航時(shí)間，還降低了對環(huán)境的負擔，體現了鎧俠與閃迪在環(huán)保方面的積極貢獻。 在存儲密度方面，第十代BiCS FLASH閃存技術(shù)同樣表現出色。通過(guò)增加閃存層數至332層，并優(yōu)化晶圓平面布局，該技術(shù)使得位密度相較于前代產(chǎn)品提升了59%。這一提升不僅滿(mǎn)足了用戶(hù)對更大存儲容量的需求，還為未來(lái)更多數據密集型應用的開(kāi)展提供了基礎保障。 鎧俠與閃迪的首席技術(shù)官在發(fā)布會(huì )上表示，隨著(zhù)人工智能技術(shù)的普及和大數據時(shí)代的到來(lái)，存儲設備的速度與效率成為企業(yè)選擇技術(shù)架構時(shí)的一項關(guān)鍵指標。第十代BiCS FLASH閃存技術(shù)的推出，正是對市場(chǎng)需求的積極回應，它將為用戶(hù)提供更加高效、可靠的數據存儲解決方案。 |
