在全球持續面臨氣候變化和環(huán)境可持續發(fā)展挑戰之際，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）一直站在創(chuàng )新前沿，利用包括硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）在內的所有相關(guān)半導體材料大幅推動(dòng)低碳化和數字化領(lǐng)域的發(fā)展。
CoolGaN 英飛凌在其 《2025年GaN功率半導體預測報告》中強調，GaN將成為影響游戲規則的半導體材料，它將極大改變大眾在消費、交通出行、住宅太陽(yáng)能、電信和AI數據中心等領(lǐng)域提高能效和推進(jìn)低碳化的方式。GaN可為終端客戶(hù)的應用帶來(lái)顯著(zhù)優(yōu)勢，包括提高性能效率、縮小尺寸、減輕重量和降低總體成本。如今USB-C充電器和適配器在GaN的應用方面已經(jīng)處于領(lǐng)先，有更多行業(yè)即將達到GaN應用的臨界點(diǎn)，從而極大地推動(dòng)了基于GaN的功率半導體市場(chǎng)的發(fā)展。 英飛凌GaN業(yè)務(wù)線(xiàn)負責人Johannes Schoiswohl表示：“英飛凌致力于通過(guò)基于包括Si、SiC和GaN在內的全部半導體材料的創(chuàng )新來(lái)推動(dòng)低碳化和數字化轉型。憑借在效率、密度和尺寸方面的優(yōu)勢，GaN將在綜合功率系統中發(fā)揮日益重要的作用。而且鑒于GaN與Si的成本差距正在縮小，我們預計GaN的利用率將在今年及未來(lái)持續增長(cháng)�！� 氮化鎵技術(shù)對于人工智能的供能需求至關(guān)重要。隨著(zhù)AI數據中心算力和能源需求的快速增長(cháng)，市場(chǎng)愈發(fā)需要能夠處理AI服務(wù)器相關(guān)巨大負載的先進(jìn)解決方案。曾經(jīng)管理3.3 kW功率的電源現在正向著(zhù)5.5 kW發(fā)展，預計未來(lái)每臺將達到12 kW或更高。使用GaN可以提高AI數據中心的功率密度，這直接影響到在給定機架空間內可提供的算力。雖然GaN具有明顯的優(yōu)勢，但將其與Si和SiC結合使用才是滿(mǎn)足AI數據中心要求，并在效率、功率密度和系統成本之間實(shí)現綜合權衡的理想選擇。 在家電市場(chǎng)，由于洗衣機、烘干機、冰箱和水泵/熱泵等應用需要達到更高的能效等級，因此英飛凌預計GaN將實(shí)現快速發(fā)展。例如：在800 W應用中，GaN可使能效提高2%，從而幫助制造商實(shí)現A 級能效。根據英飛凌的研究，基于GaN的電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器和DC-DC轉換器將具有更高的充電效率、功率密度和材料可持續性，而且正向20 kW以上的系統轉型。GaN還將與高端SiC解決方案一同實(shí)現更加高效的400 V和800 V電動(dòng)汽車(chē)系統牽引逆變器，增加電動(dòng)汽車(chē)的行駛里程。 由于GaN材料能夠提高緊湊性，機器人行業(yè)將在2025 年及以后廣泛使用GaN，這將推動(dòng)送貨無(wú)人機、護理機器人和人形機器人的發(fā)展。而隨著(zhù)機器人技術(shù)與自然語(yǔ)言處理、計算機視覺(jué)等先進(jìn)AI技術(shù)的融合，GaN將提供實(shí)現緊湊、高性能設計所需的效率。例如：將逆變器集成在電機機箱內，既可以避免使用逆變器散熱片，同時(shí)又能減少每個(gè)關(guān)節/軸的線(xiàn)纜，并簡(jiǎn)化EMC設計。 為了解決在成本和可擴展性方面的挑戰，英飛凌正進(jìn)一步增加對GaN研發(fā)的投資。憑借豐富的產(chǎn)品和 IP 組合、嚴格的質(zhì)量標準，以及300 mm GaN晶圓制造和雙向開(kāi)關(guān)（BDS）晶體管等前沿創(chuàng )新技術(shù)，英飛凌正以包括GaN在內的所有相關(guān)半導體材料為基礎，鞏固自身在推動(dòng)低碳化和數字化方面的領(lǐng)先地位。 供貨情況 點(diǎn)擊此處下載電子書(shū)《2025年GaN預測報告》。 |
