氮化鎵（GaN）技術(shù)在提升功率電子器件性能水平方面起到至關(guān)重要的作用。但目前為止，GaN供應商采用的封裝類(lèi)型和尺寸各異，產(chǎn)品十分零散，客戶(hù)缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個(gè)問(wèn)題，全球功率系統、汽車(chē)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用RQFN 5x6 封裝的 CoolGaN G3 100V（IGD015S10S1）和采用RQFN 3.3x3.3封裝的CoolGaN G3 80V（IGE033S08S1）高性能GaN晶體管。
CoolGaN G3 100V晶體管與WRTFN-9-2組合 英飛凌科技中壓氮化鎵產(chǎn)品線(xiàn)負責人Antoine Jalabert博士表示：“這兩款新器件兼容行業(yè)標準硅MOSFET封裝，滿(mǎn)足客戶(hù)對標準化封裝、更易處理和加快產(chǎn)品上市速度的需求。 CoolGaN G3 100 V晶體管器件將采用5x6 RQFN封裝，典型導通電阻為 1.1 mΩ；CoolGaN G3 80 V將采用 3.3x3.3 RQFN 封裝，典型電阻為2.3 mΩ。這兩款晶體管的封裝首次讓客戶(hù)可以采取簡(jiǎn)便的多源采購策略，以及與硅基設計形成互補的布局，而新封裝與GaN組合帶來(lái)的低電阻連接和低寄生效應能夠在常見(jiàn)封裝中實(shí)現高性能晶體管輸出。 此外，這種芯片與封裝組合擁有更大的暴露表面積和更高的銅密度，使熱量得到更好的分布和散發(fā)，因此不僅能提高熱傳導性，還具有很高的熱循環(huán)穩定性。 供貨情況 采用 RQFN 封裝的IGE033S08S1 和 IGD015S10S1 GaN晶體管樣品將從2025年4月開(kāi)始提供。了解更多信息，請點(diǎn)擊這里。 |
