東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，最新推出一款可用于驅動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅動(dòng)光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開(kāi)始支持批量供貨。
在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當下橋臂[2]關(guān)閉時(shí)，米勒電流[1]可能會(huì )產(chǎn)生柵極電壓，進(jìn)而導致上橋臂和下橋臂[3]出現短路等故障。常見(jiàn)的保護措施有，在柵極關(guān)閉時(shí)，對柵極施加負電壓。 對于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si）MOSFET更高的電壓、更低的導通電阻以及更快的開(kāi)關(guān)特性，但柵極和源極之間可能無(wú)法施加足夠的負電壓。在這種情況下，有源米勒鉗位電路的應用使米勒電流從柵極流向地，無(wú)需施加負電壓即可防止短路。然而由于部分削減成本的設計，導致其在IGBT關(guān)斷時(shí)減少用于柵極的負電壓。而且在這種情況下，內建有源米勒鉗位的柵極驅動(dòng)器是可以考慮的選項。 TLP5814H內建有源米勒鉗位電路，因此無(wú)需為負電壓和外部有源米勒鉗位電路提供額外的電源。這不僅為系統提供安全功能，而且還可通過(guò)減少外部電路來(lái)助力實(shí)現系統的最小化。有源米勒鉗位電路的導通電阻典型值為0.69 Ω，峰值鉗位灌電流額定值為6.8 A，因此非常適合作為SiC MOSFET的柵極驅動(dòng)器，SiC MOSFET對柵極電壓變化非常敏感。 TLP5814H通過(guò)增強輸入端紅外發(fā)射二極管的光輸出并優(yōu)化光電檢測器件（光電二極管陣列）的設計實(shí)現了–40 °C至125 °C的額定工作溫度，從而可提高光耦合效率。因此，面對嚴格熱管理的工業(yè)設備，比如光伏（PV）逆變器和不間斷電源（UPS）等是十分適合的。此外，其傳輸延遲時(shí)間和傳輸延遲偏差也規定在工作溫度額定值范圍內。其5.85 mm×10 mm×2.1 mm（典型值）的小型SO8L封裝有助于提高系統電路板的部件布局靈活性。此外，它還支持8.0 mm的最小爬電距離，進(jìn)而可將其用于需要高絕緣性能的應用。 未來(lái)東芝將繼續開(kāi)發(fā)光電耦合器產(chǎn)品，助力增強工業(yè)設備的安全功能。 應用： 工業(yè)設備 - 光伏逆變器、UPS、工業(yè)逆變器以及AC伺服驅動(dòng)等
特性： - 內建有源米勒鉗位功能 - 額定峰值輸出電流：IOP＝＋6.8 A／–4.8 A - 高工作溫度額定值：Topr（最大值）＝125 °C 主要規格： （除非另有說(shuō)明，否則Ta＝–40 °C至125 °C）
注： [1] 米勒電流：當高dv/dt電壓應用于MOSFET的漏極和柵極之間的電容或IGBT的集電極和柵極之間的電容時(shí)，產(chǎn)生的電流。 [2] 下橋臂是從使用電源器件的電路的負載中吸收電流的部件，例如串聯(lián)至電源負極（或接地）的逆變器，而上橋臂則是從電源為負載提供電流的部件。 [3] 上橋臂和下橋臂短路：由于噪聲引起的故障或開(kāi)關(guān)過(guò)程中米勒電流引起的故障，上下電源器件同時(shí)接通的現象。 如需了解有關(guān)新產(chǎn)品的更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)以下網(wǎng)址： TLP5814H https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TLP5814H 如需了解有關(guān)東芝隔離器／固態(tài)繼電器的更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)以下網(wǎng)址： 隔離器／固態(tài)繼電器 https://toshiba.semicon-storage. ... d-state-relays.html 如需了解有關(guān)新產(chǎn)品在線(xiàn)分銷(xiāo)商網(wǎng)站的供貨情況，請訪(fǎng)問(wèn)以下網(wǎng)址： TLP5814H https://toshiba.semicon-storage. ... check.TLP5814H.html | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
