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美國加州當地時(shí)間25日，半導體行業(yè)協(xié)會(huì )（SEMI）發(fā)布最新預測報告，為全球半導體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)重要信號：今年全球晶圓廠(chǎng)前端設施設備支出將較2024年小幅提升2%，達到1100億美元，并且實(shí)現了自2020年以來(lái)的連續六年錄得正增幅。 這一預測結果的背后，反映出全球半導體產(chǎn)業(yè)正持續展現出強大的韌性與活力。隨著(zhù)科技的飛速發(fā)展，眾多新興領(lǐng)域對高性能芯片的需求不斷攀升，成為推動(dòng)晶圓廠(chǎng)設備支出增長(cháng)的核心動(dòng)力。 在技術(shù)層面，人工智能（AI）、高性能計算（HPC）等前沿科技領(lǐng)域的發(fā)展，促使行業(yè)對先進(jìn)制程芯片的渴望日益強烈。例如，2納米以下先進(jìn)制程工藝逐漸成為頭部企業(yè)競相追逐的目標。以臺積電、三星和英特爾為代表的行業(yè)巨頭，紛紛加大研發(fā)投入，積極推進(jìn)2納米工藝的量產(chǎn)計劃，預計到2026年相關(guān)生產(chǎn)線(xiàn)將全面落地。與此同時(shí)，背面供電（Backside Power Delivery）等突破性技術(shù)也在不斷涌現，被視為延續摩爾定律的關(guān)鍵創(chuàng )新，通過(guò)將電源布線(xiàn)從晶體管正面轉移至背面，不僅能顯著(zhù)降低芯片功耗，還能大幅提升芯片性能，為AI芯片、自動(dòng)駕駛處理器等對性能要求極高的應用場(chǎng)景提供有力支撐。 再看市場(chǎng)層面，存儲市場(chǎng)的結構性分化十分明顯。雖然DRAM設備支出預計在2025年同比下降6%至210億美元，但這種下滑只是階段性調整，隨著(zhù)數據中心對高帶寬內存（HBM）需求的激增，三星、SK海力士等廠(chǎng)商已經(jīng)加快向HBM3E和DDR5技術(shù)轉型，相關(guān)產(chǎn)能擴張計劃將于2026年集中釋放，屆時(shí)DRAM設備支出有望在2026年反彈19%至250億美元 。而NAND領(lǐng)域則呈現強勢復蘇的態(tài)勢，2025年設備支出預計同比飆升54%至100億美元，2026年將再增47%至150億美元，這主要得益于A(yíng)I訓練對高速存儲的強勁需求推動(dòng)企業(yè)級SSD市場(chǎng)擴容，以及智能手機、PC廠(chǎng)商對大容量存儲升級需求的不斷增長(cháng)。 在區域發(fā)展上，中國繼續在全球半導體市場(chǎng)中扮演著(zhù)至關(guān)重要的角色。盡管面臨地緣政治壓力和出口管制的挑戰，中國今年仍以強大的預期支出穩居區域設備投資榜首，預計支出將達380億美元，盡管同比下滑24%，但這主要是由于2024年政策補貼推動(dòng)的產(chǎn)能集中釋放。從中長(cháng)期來(lái)看，眾多本土企業(yè)仍在不斷擴大成熟制程產(chǎn)能，以滿(mǎn)足汽車(chē)電子、工業(yè)控制等本土化需求。韓國則在內存技術(shù)優(yōu)勢的加持下全力加速反超，計劃通過(guò)加速產(chǎn)能和技術(shù)升級進(jìn)一步鞏固市場(chǎng)地位，預計到2026年韓國設備投資將增長(cháng)26%，達到270億美元 。中國臺灣持續以臺積電為核心鞏固其在先進(jìn)制程領(lǐng)域的統治地位，2025年設備支出預計達210億美元，2026年將增至245億美元。 SEMI警告，隨著(zhù)全球晶圓廠(chǎng)建設的持續推進(jìn)，產(chǎn)能不斷擴張，全球需要新增約50萬(wàn)半導體從業(yè)人員 ，以滿(mǎn)足約50家新晶圓廠(chǎng)在2025年和2026年投入生產(chǎn)所需。這也提醒著(zhù)各國在重視技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)布局的同時(shí)，要關(guān)注人才儲備和培養，為半導體產(chǎn)業(yè)的持續健康發(fā)展提供堅實(shí)的人力支撐。 |
