為推動(dòng)下一代固態(tài)配電系統的發(fā)展，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出了新型CoolSiC JFET產(chǎn)品系列。新系列產(chǎn)品擁有極低的導通損耗、出色的關(guān)斷能力和高可靠性，使其成為先進(jìn)固態(tài)保護與配電系統的理想之選。憑借強大的短路能力、線(xiàn)性模式下的熱穩定性以及精確的過(guò)壓控制，CoolSiC JFET可在各種工業(yè)和汽車(chē)應用中實(shí)現可靠且高效的系統性能，包括固態(tài)斷路器（SSCB）、AI數據中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機軟啟動(dòng)器、工業(yè)安全繼電器以及汽車(chē)電池隔離開(kāi)關(guān)等。
Q-DPAK封裝的CoolSiC JFET G1 英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer博士表示：“市場(chǎng)需要更加智能、快速且可靠的配電系統，英飛凌將通過(guò)CoolSiC JFET滿(mǎn)足這一日益增長(cháng)的需求。這項以應用為導向的功率半導體技術(shù)，專(zhuān)為賦能客戶(hù)應對這一快速發(fā)展領(lǐng)域中的復雜挑戰而設計，為其提供所需的關(guān)鍵技術(shù)工具。我們自豪地推出具備業(yè)界領(lǐng)先的導通電阻（RDS(ON)）的產(chǎn)品，重新定義了碳化硅（SiC）性能標桿，并進(jìn)一步鞏固了英飛凌在寬禁帶半導體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導地位�！� 第一代CoolSiC JFET擁有最低值為1.5 mΩ（750 VBDss）/2.3 mΩ（1200 VBDss ）的超低RDS(ON)，能夠大幅減少導通損耗。溝道經(jīng)過(guò)優(yōu)化過(guò)的SiC JFET在短路和雪崩故障條件下具有高度的可靠性。該產(chǎn)品采用Q-DPAK頂部散熱封裝，便于并聯(lián)，并具備可擴展的電流處理能力，能夠為緊湊型高功率系統提供靈活的布局和集成選項。其在熱應力、過(guò)載和故障條件下?lián)碛锌深A測的開(kāi)關(guān)能力，能夠在連續運行中長(cháng)期保持極高的可靠性。 為應對嚴苛應用環(huán)境中的散熱和機械問(wèn)題，CoolSiC JFET采用英飛凌先進(jìn)的.XT互連技術(shù)與擴散焊接工藝，從而顯著(zhù)降低了器件在工業(yè)電力系統中常見(jiàn)的脈沖與循環(huán)負載下的瞬態(tài)熱阻抗，并大幅提升了其可靠性。該器件基于固態(tài)功率開(kāi)關(guān)的實(shí)際工況測試和驗證，并采用符合行業(yè)標準的Q-DPAK封裝，可在工業(yè)與汽車(chē)應用中實(shí)現快速、無(wú)縫的設計集成。 供貨情況 新型CoolSiC JFET 系列的工程樣品將于 2025 年推出，并于2026年開(kāi)始量產(chǎn)，后續還將加入多種封裝和模塊。該產(chǎn)品系列將在紐倫堡 PCIM Europe 2025的英飛凌展臺進(jìn)行展示。了解更多信息，請訪(fǎng)問(wèn) www.infineon.com/jfet。 |
