貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)售英飛凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術(shù)，開(kāi)啟了電力系統和能量轉換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量?jì)Υ嫦到y、電動(dòng)汽車(chē)充電、電源和電機驅動(dòng)應用。
貿澤供貨的英飛凌CoolSiC G2 MOSFET可在所有常見(jiàn)電源方案組合（AC-DC、DC-DC和DC-AC）中樹(shù)立高質(zhì)量標桿，并進(jìn)一步利用英飛凌獨特的XT互聯(lián)技術(shù)來(lái)提高半導體芯片的性能和散熱能力（例如采用TO-263-7、TO-247-4分立封裝的型號）。CoolSiC G2 MOSFET 650V和1200V在不影響質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的關(guān)鍵性能（例如存儲能量和電荷）提高了20%，不僅提升了整體能效，還進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化進(jìn)程。G2的散熱能力提高了12%，并將CoolSiC的SiC性能提升到了一個(gè)新的水平。其快速開(kāi)關(guān)能力可在所有工作模式下將功率損耗降低5%到30%（取決于負載條件），具有出色的節能效果。 CoolSiC G2的新一代SiC技術(shù)能夠加速設計成本更加優(yōu)化，且更加緊湊、可靠、高效的系統，從而節省能源并減少現場(chǎng)每瓦功率的二氧化碳排放量。 欲了解更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)https://www.mouser.cn/new/infineon/infineon-coolsic-g2-mosfets。 |
