電子行業(yè)正在向更加緊湊而強大的系統快速轉型。為了支持這一趨勢并進(jìn)一步推動(dòng)系統層面的創(chuàng )新，全球功率系統、汽車(chē)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。
CoolSiC MOSFET 650 V G2 Q-DPAK TSC 這兩個(gè)產(chǎn)品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC Generation 2（G2） 技術(shù)，其性能、可靠性和易用性均有顯著(zhù)提高。它們專(zhuān)門(mén)用于中高功率開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）開(kāi)發(fā)，包括AI服務(wù)器、可再生能源、充電樁、電動(dòng)交通工具和人形機器人、電視機、驅動(dòng)器以及固態(tài)斷路器。 TOLL封裝具有出色的板載熱循環(huán)（TCoB）能力，可通過(guò)減少印刷電路板（PCB）占板面積實(shí)現緊湊的系統設計。在用于SMPS時(shí)，它還能減少系統級制造成本。TOLL封裝現在適用于更多目標應用，使PCB設計者能夠進(jìn)一步降低成本并更好地滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。 Q-DPAK封裝的推出補充了英飛凌正在開(kāi)發(fā)的新型頂部冷卻（TSC）產(chǎn)品，包括CoolMOS 8、CoolSiC、CoolGaN和OptiMOS。TSC產(chǎn)品使客戶(hù)能夠以低成本實(shí)現出色的穩健性以及更大的功率密度和系統效率，還能將直接散熱率提高至95%，通過(guò)實(shí)現PCB的雙面使用更好地管理空間和減少寄生效應。 供貨情況 采用TOLL和Q-DPAK封裝的CoolSiC MOSFET 650 V G2現已上市，前者的RDS(on)值為10至60 mΩ，后者的RDS(on)值為 7、10、15 和 20 mΩ。更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)www.infineon.com/coolsic-g2。 |
