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5月26日消息，臺媒《經(jīng)濟日報》昨晚援引半導體行業(yè)消息人士透露，全球存儲芯片巨頭美光科技（Micron Technology）已與臺灣地區封裝測試龍頭力成科技（Powertech Technology Inc., PTI）簽署獨家合作協(xié)議，將HBM2內存的封裝業(yè)務(wù)全面外包給力成科技。此舉標志著(zhù)美光在優(yōu)化全球產(chǎn)能配置、聚焦高端HBM技術(shù)領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步，而力成科技則借此首次涉足HBM封裝市場(chǎng)，拓展高端封裝技術(shù)版圖。 HBM2需求仍存，美光戰略聚焦HBM3E/4 盡管HBM（高帶寬內存）技術(shù)已迭代至HBM3E量產(chǎn)、HBM4發(fā)布的階段，但市場(chǎng)對成熟產(chǎn)品HBM2（E）的需求仍保持穩定。據業(yè)內人士分析，英特爾Gaudi 3系列AI加速器及部分小型芯片企業(yè)的定制化AI ASIC仍依賴(lài)成本較低的HBM2（E）內存。美光此次將HBM2封裝業(yè)務(wù)外包，旨在釋放其位于中國臺灣中科先進(jìn)封裝基地的產(chǎn)能，集中資源攻克價(jià)值更高的HBM3E和HBM4技術(shù)。 力成科技為承接該訂單，已啟動(dòng)設備購置計劃。消息稱(chēng)，相關(guān)設備預計于2025年中逐步到位，下半年進(jìn)入生產(chǎn)驗證階段，年底前啟動(dòng)小批量試產(chǎn)，2026年實(shí)現大規模量產(chǎn)。這一合作將填補力成在HBM封裝領(lǐng)域的空白，并推動(dòng)其技術(shù)能力向高端化升級。 美光全球布局提速，力成產(chǎn)能利用率提升 近年來(lái)，美光持續加大在HBM領(lǐng)域的投入。2024年，美光宣布將HBM市場(chǎng)份額目標提升至20%，并計劃在臺灣臺中廠(chǎng)區擴建HBM產(chǎn)能。此次將HBM2封裝業(yè)務(wù)委外，既是對現有產(chǎn)能的優(yōu)化，也是為高端HBM量產(chǎn)騰出空間。 力成科技董事長(cháng)蔡篤恭此前在法說(shuō)會(huì )上透露，公司正持續增加AI相關(guān)及HBM封測技術(shù)投入，預計2025年第二季度起，與美光的合作將顯著(zhù)提升其DRAM封測產(chǎn)能利用率。分析人士指出，美光與力成的合作已延續近十年，雙方在DRAM及NAND Flash封裝領(lǐng)域積累了深厚默契，此次合作將進(jìn)一步鞏固雙方在存儲芯片供應鏈中的協(xié)同效應。 行業(yè)影響：HBM產(chǎn)能博弈加劇 隨著(zhù)AI算力需求爆發(fā)，HBM已成為存儲芯片廠(chǎng)商爭奪的焦點(diǎn)。TrendForce集邦咨詢(xún)數據顯示，2025年HBM價(jià)格預計上漲5%-10%，占DRAM總產(chǎn)值比重將超三成。三星、SK海力士等廠(chǎng)商亦在加速擴產(chǎn)，美光通過(guò)外包HBM2封裝、聚焦高端技術(shù)，有望在競爭中占據先機。 對于力成科技而言，此次合作不僅帶來(lái)訂單增量，更標志著(zhù)其從傳統封裝向先進(jìn)封裝技術(shù)的跨越。力成正通過(guò)新建廠(chǎng)房、升級設備等方式，強化在HBM、3D IC等領(lǐng)域的競爭力，以應對存儲芯片市場(chǎng)的高端化趨勢。 市場(chǎng)分析機構指出，隨著(zhù)AI算力需求持續增長(cháng)，HBM市場(chǎng)將在未來(lái)三年保持高增速。美光與力成的合作能否助力雙方在高端市場(chǎng)實(shí)現突破，值得持續關(guān)注。 |
