存儲芯片巨頭美光科技(Micron Technology)今日宣布了一項重大進(jìn)展,該公司已率先向生態(tài)系統合作伙伴及特定客戶(hù)出貨專(zhuān)為下一代CPU設計的1γ(1-gamma)第六代(10納米級)DRAM節點(diǎn)DDR5內存樣品。 據悉,美光此次出貨的1γ DRAM節點(diǎn)DDR5內存樣品是基于其先進(jìn)的10納米級制程技術(shù)打造。該內存樣品采用了極紫外光刻(EUV)技術(shù),這一技術(shù)使得美光能夠在更小的空間內實(shí)現更高的晶體管密度,從而大幅提升內存的性能和能效。據美光官方介紹,基于1γ節點(diǎn)的16Gb DDR5產(chǎn)品數據傳輸速率可達9200MT/s,與前代產(chǎn)品相比,速率提升高達15%,同時(shí)功耗降低超過(guò)20%。 美光執行副總裁兼首席技術(shù)與產(chǎn)品官Scott DeBoer表示:“美光在開(kāi)發(fā)專(zhuān)有DRAM技術(shù)方面的專(zhuān)業(yè)知識,結合我們對EUV光刻技術(shù)的戰略使用,產(chǎn)生了強大的基于1γ的尖端內存產(chǎn)品組合。這一成就不僅凸顯了美光的制造實(shí)力和效率,還將推動(dòng)AI生態(tài)系統向前發(fā)展! 美光的1γ DRAM節點(diǎn)不僅性能卓越,而且具有廣泛的適用性。該內存解決方案將首先應用于美光的16Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品,并計劃逐步整合至美光的內存產(chǎn)品組合中,以滿(mǎn)足從數據中心到邊緣設備的各種內存需求。特別是在A(yíng)I產(chǎn)業(yè)中,高性能、高能效的內存解決方案需求日益增長(cháng),美光的1γ DRAM節點(diǎn)無(wú)疑將在這一領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。 具體來(lái)說(shuō),基于1γ制程的DDR5內存解決方案將為數據中心提供高達15%的性能提升,并增強能效,支持服務(wù)器性能的持續擴展。在端側AI設備中,1γ低功耗DRAM解決方案可提供更高的能效及帶寬,從而增強用戶(hù)體驗。此外,1γ DDR5 SODIMMs還可提升AI PC的性能,并降低20%的功耗,延長(cháng)電池壽命,改善筆記本電腦的整體用戶(hù)體驗。在移動(dòng)設備領(lǐng)域,1γ LPDDR5X將延續美光在移動(dòng)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,提供卓越的AI體驗。而在汽車(chē)領(lǐng)域,基于1γ的LPDDR5X內存則可提升容量、耐用性和性能,同時(shí)傳輸速率高達9600MT/s。 美光科技執行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana強調:“美光在推出世界上最先進(jìn)的內存技術(shù)方面再次引領(lǐng)行業(yè)。美光的1γ DRAM節點(diǎn)憑借其無(wú)與倫比的能效和非凡性能是一項突破性的成就。這一產(chǎn)品將通過(guò)為從數據中心到邊緣的所有細分市場(chǎng)提供可擴展的內存解決方案,徹底改變AI生態(tài)系統,使我們的客戶(hù)能夠在快速發(fā)展的行業(yè)需求中保持領(lǐng)先地位! |