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2025年11月23日至25日，北京國家會(huì )議中心將迎來(lái)全球半導體行業(yè)的焦點(diǎn)盛會(huì )——中國國際半導體博覽會(huì )(ICCHINA)。作為中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )主辦的權威展會(huì )，本屆展覽會(huì )以“集合全行業(yè)資源·成就大產(chǎn)業(yè)對接”為主題，全面展示半導體設備、材料及第三代半導體的前沿技術(shù)與產(chǎn)業(yè)生態(tài)。 第三代半導體：重塑未來(lái)科技格局以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料成為展區亮點(diǎn)。與傳統硅基半導體相比，這些材料具有高壓、高頻、高溫和高效率的顛覆性性能，正在重塑新能源、5G通信、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域的技術(shù)格局。展會(huì )將首次展示8英寸SiC晶圓量產(chǎn)技術(shù)，以及面向超高壓電網(wǎng)的20kV SiC MOSFET，標志著(zhù)行業(yè)從“實(shí)驗室”邁向“規�；钡年P(guān)鍵拐點(diǎn)。 展出范圍與技術(shù)亮點(diǎn)
中國企業(yè)：從跟跑到領(lǐng)跑中國廠(chǎng)商在本次展會(huì )上的突破值得期待。中芯國際將首發(fā)國產(chǎn)8英寸SiC生產(chǎn)線(xiàn)技術(shù)，打破海外壟斷；三安光電展示全球首款1200V GaN-on-Si汽車(chē)芯片；華為則推出支持6G太赫茲頻段的“天罡2.0”射頻芯片。這些成果彰顯了中國在半導體材料領(lǐng)域的快速進(jìn)步。 綠色制造與供應鏈重構響應全球低碳轉型需求，展會(huì )將呈現全球首臺零碳足跡刻蝕機，結合AI動(dòng)態(tài)能耗調節技術(shù)。在地緣政治背景下，供應鏈本土化成為焦點(diǎn)，北方華創(chuàng )、中微半導體等中國企業(yè)將展示全鏈條國產(chǎn)設備，覆蓋刻蝕、薄膜沉積等關(guān)鍵環(huán)節。 互動(dòng)體驗與技術(shù)交流為提升觀(guān)展體驗，組委會(huì )設計了多項互動(dòng)環(huán)節：VR模擬SiC晶圓制造流程、GaN快充拆解實(shí)驗室等沉浸式體驗。同期將舉辦多場(chǎng)高峰論壇，包括“第三代半導體與碳中和”“GaN射頻前沿”等主題，匯聚IEEE專(zhuān)家與行業(yè)領(lǐng)袖。 2025北京半導體材料展覽會(huì )不僅是技術(shù)展示的舞臺，更是全球產(chǎn)業(yè)鏈重構的起點(diǎn)。從材料創(chuàng )新到設備革新，從本土化布局到綠色轉型，這場(chǎng)盛會(huì )將為從業(yè)者、投資者與科技愛(ài)好者揭開(kāi)半導體產(chǎn)業(yè)未來(lái)十年的發(fā)展藍圖。 展位申請：企業(yè)可預訂展位展示技術(shù)（需提前聯(lián)系主辦方預留黃金展位） 參展報名：張主任185 3830 4525同微信 |
