IDT推出全球首款針對高性能應用的壓電 MEMS 振蕩器

發(fā)布時(shí)間:2012-5-10 15:10    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: MEMS , 振蕩器
IDT 公司推出全球首款針對高性能通信、消費、云和工業(yè)應用的 CrystalFree 壓電MEMS(pMEMS)LVDS / LVPECL 振蕩器。IDT 的新型振蕩器可在緊湊業(yè)界標準封裝中以遠低于 1 皮秒的相位抖動(dòng)運行,使其成為傳統六管腳晶體振蕩器(XO)的理想替代。

IDT 的 4M 系列高性能 LVDS / LVPECL 振蕩器利用 IDT 專(zhuān)利的 CrystalFree pMEMS 諧振器技術(shù),讓 IDT 能夠迅速在出廠(chǎng)時(shí)編程所需的輸出頻率,無(wú)需微調昂貴的晶體。此外,由于pMEMS 的本征諧振頻率遠高于石英晶體,4M 振蕩器能夠以更低的成本實(shí)現更高的頻率而無(wú)需損耗關(guān)鍵性能。4M 系列是 IDT 廣泛 MEMS-based 器件組合的首款產(chǎn)品,將為客戶(hù)提供便利、精確和低抖動(dòng)的計時(shí)參考。

IDT 公司副總裁兼計時(shí)與同步部門(mén)總經(jīng)理 Fred Zust 表示:“作為計時(shí)領(lǐng)域的領(lǐng)導者,我們的客戶(hù)一直期望 IDT 的 pMEMS 技術(shù)能夠擴展至通信這樣的高性能應用,通信是 40 億美元頻率控制市場(chǎng)的重要細分市場(chǎng)。IDT 專(zhuān)利的 pMEMS 諧振器技術(shù)將壓電材料的強機電耦合與單晶硅的穩定性和低阻尼相結合,允許我們憑借無(wú)與倫比的性能和可靠性實(shí)現便利且具有成本效益的 XO 替代。這些產(chǎn)品與我們屢獲殊榮的固態(tài)振蕩器相得益彰,可提供完整的頻率控制產(chǎn)品組合,從而在不斷增加的細分市場(chǎng)中替代石英器件!



IDT 的 4M 振蕩器可在 -40°C 至 85°C 的廣泛工業(yè)溫度范圍內以 ±50 ppm 的頻率精度運行。器件支持低壓差分信號(LVDS)和低電壓正發(fā)射極耦合邏輯(LVPECL),頻率高達 625 MHz,可滿(mǎn)足大多數通信、網(wǎng)絡(luò )和高性能計算應用的嚴格要求。除了 7.0 x 5.0 mm(7050)尺寸,IDT 的 pMEMS 振蕩器還提供 5.0 x 3.2 mm(5032)小型標準塑料封裝,可節省成本并在高密度的應用領(lǐng)域將封裝尺寸降至最低。經(jīng)過(guò)設計,它們與傳統的 XO 管腳兼容,使其成為理想的升級替代解決方案。

供貨

IDT 的 4M 振蕩器已向合格客戶(hù)提供樣品,并提供基于頻率、電壓、輸出類(lèi)型和工業(yè)標準封裝的多種配置。欲了解 IDT CrystalFree pMEMS 振蕩器的更多信息,請訪(fǎng)問(wèn):www.idt.com/go/MEMS。
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