羅姆于世界首次實(shí)現SiC-SBD與SiC-MOS FET的一體化封裝 將于7月量產(chǎn)

發(fā)布時(shí)間:2012-6-19 13:31    發(fā)布者:1770309616
關(guān)鍵詞: FET , SiC-MOS , SiC-SBD , 羅姆 , 一體化封裝
  日本知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都)面向工業(yè)設備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調節器等的逆變器、轉換器,開(kāi)發(fā)出耐壓高達1200V的第2代SiC(Silicon carbide:碳化硅)MOSFET"SCH2080KE"。此產(chǎn)品損耗低,可靠性高,在各種應用中非常有助于設備實(shí)現更低功耗和小型化。
  本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內部二極管的正向電壓(VF)降低70%以上,實(shí)現更低損耗的同時(shí)還可減少部件個(gè)數。
  生產(chǎn)基地在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣),從6月份開(kāi)始出售樣品,從7月份開(kāi)始陸續量產(chǎn)。

  ※根據羅姆的調查(截至2012年6月14日)
  現在,在1200V級別的逆變器和轉變器中一般使用Si-IGBT,但尾電流和外置FRD的恢復導致的功率轉換損耗較大,因此,更低損耗、可高頻動(dòng)作的SiC-MOSFET的開(kāi)發(fā)備受期待。但是,傳統的SiC-MOSFET,體二極管通電導致的特性劣化(導通電阻和正向電壓的上升/耐性劣化)和柵氧化膜故障等可靠性方面的課題較多,之前無(wú)法實(shí)現真正的全面導入。
  此次,羅姆通過(guò)改善晶體缺陷相關(guān)工藝和元件構造,成功地攻克了包括體二極管在內的可靠性方面的所有課題。而且,與傳統產(chǎn)品相比,單位面積的導通電阻降低了約30%,實(shí)現了芯片尺寸的小型化。
  另外,通過(guò)獨創(chuàng )的安裝技術(shù),還成功將傳統上需要外置的SiC-SBD一體化封裝,使SiC-MOSFET的體二極管長(cháng)久以來(lái)的課題-降低正向電壓成為可能。
  由此,與一般的逆變器中所使用的Si-IGBT相比,工作時(shí)的損耗降低了70%以上,實(shí)現了更低損耗的同時(shí),還實(shí)現了50kHz以上的更高頻率,而且有助于外圍部件的小型化。

  另外,此次還同時(shí)開(kāi)發(fā)了與SiC-SBD非同一封裝的型號SiC-MOSFET"SCT2080KE",提供滿(mǎn)足不同電路構成和客戶(hù)需求的產(chǎn)品。兩種產(chǎn)品將在6月19日(周二)~21日(周四)于上海世博展覽館舉行的聚集電力電子、智能運動(dòng)、電力特性等最新技術(shù)的專(zhuān)業(yè)類(lèi)展會(huì )"PCIM Asia 2012"的羅姆展臺展出。歡迎蒞臨現場(chǎng)參觀(guān)。
  <特點(diǎn)>
  1) SiC-MOSFET與SiC-SBD一體化封裝
  成功實(shí)現"SCH2080KE"與傳統上需要外置的SiC-SBD的一體化封裝,降低了正向電壓?蓽p少部件個(gè)數,而且有助于進(jìn)一步節省空間。產(chǎn)品陣容中還包括傳統結構的"SCT2080KE",可滿(mǎn)足客戶(hù)的多種需求。

  2) 無(wú)開(kāi)啟電壓,具備卓越的電流電壓特性
  通過(guò)優(yōu)化工藝和元件構造,與第1代產(chǎn)品相比,單位面積的導通電阻降低約30%。不存在一般使用的Si-IGBT長(cháng)久以來(lái)所存在的開(kāi)啟電壓,因此即使在低負載運轉時(shí)損耗也很低。

  3) 正向電壓降低70%以上,減少了損耗和部件個(gè)數
  SiC-MOSFET的體二極管,在SiC物質(zhì)特性的原理上決定了其開(kāi)啟電壓較大,高達2.5V以上,常常成為逆變器工作時(shí)的損耗。"SCH2080KE"集SiC-SBD與SiC-MOSFET于同一封裝內,大大降低了正向電壓。不僅損耗更低,還可減少部件個(gè)數。

  4) 無(wú)尾電流,可進(jìn)行低損耗開(kāi)關(guān)
  由于不會(huì )產(chǎn)生Si-IGBT中常見(jiàn)的尾電流,因此關(guān)斷時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗可減少90%,有助于設備更加節能。另外,達到了Si-IGBT無(wú)法達到的50kHz以上的開(kāi)關(guān)頻率,因此,可實(shí)現外圍設備的小型化、輕量化。

  【關(guān)于羅姆(ROHM)】
  羅姆(ROHM)是全球著(zhù)名半導體廠(chǎng)商之一,創(chuàng )立于1958年,是總部位于日本京都市的跨國集團公司。"品質(zhì)第一"是羅姆的一貫方針。我們始終將產(chǎn)品質(zhì)量放在第一位。無(wú)論遇到多大的困難,都將為國內外用戶(hù)源源不斷地提供大量?jì)?yōu)質(zhì)產(chǎn)品,并為文化的進(jìn)步與提高作出貢獻。
  歷經(jīng)半個(gè)多世紀的發(fā)展,羅姆的生產(chǎn)、銷(xiāo)售、研發(fā)網(wǎng)絡(luò )遍及世界各地。產(chǎn)品涉及多個(gè)領(lǐng)域,其中包括IC、分立半導體、光學(xué)半導體、被動(dòng)元件以及模塊產(chǎn)品。在世界電子行業(yè)中,羅姆的眾多高品質(zhì)產(chǎn)品得到了市場(chǎng)的許可和贊許,成為系統IC和最新半導體技術(shù)方面首屈一指的主導企業(yè)。
  羅姆十分重視中國市場(chǎng),已陸續在全國設立多家代表機構,在大連和天津先后開(kāi)設工廠(chǎng),并在上海和深圳設立技術(shù)中心和品質(zhì)保證中心提供技術(shù)和品質(zhì)支持。
  羅姆(ROHM)官方網(wǎng)站:www.rohm.com.cn
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