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為了滿(mǎn)足市場(chǎng)對射頻功率器件增強耐用性和在廣泛的頻率范圍進(jìn)行寬帶運行的需求，飛思卡爾半導體公司推出了兩款功能豐富的器件，旨在為采用LDMOS處理技術(shù)制造的射頻功率產(chǎn)品提供新級別的線(xiàn)性和耐用性。 新產(chǎn)品包括25 W 的MRFE6VS25N和100 W 的MRFE6VP100H，在整個(gè)頻率覆蓋范圍內能提供完整的CW額定功率。設計這兩款產(chǎn)品的目的在于簡(jiǎn)化放大器設計的復雜性、節約成本，同時(shí)提高系統的可靠性。 新推出的器件是用于類(lèi)似應用的GaN解決方案的極好替代產(chǎn)品，能夠處理VSWR大于65:1的阻抗不匹配情況，從而以極低的器件成本實(shí)現卓越的線(xiàn)性。寬帶 LDMOS FET的設計目的是為了在極其惡劣的條件下也能無(wú)縫運行， 這時(shí)產(chǎn)品的耐用性和可用性至關(guān)重要 。目標應用包括HF-UHF發(fā)射器和收發(fā)器、電視發(fā)射器、空白區域數據收發(fā)器、航空航天/國防系統、測試設備和雷達系統。 新產(chǎn)品采用飛思卡爾低熱阻封裝，目的是最大限度降低內部升溫，提高長(cháng)期可靠性，同時(shí)減少熱管理問(wèn)題。新產(chǎn)品還集成了能在眾多運行環(huán)境中增強電路穩定性的內部網(wǎng)絡(luò )，從而簡(jiǎn)化了外部電路。為了保證最佳耐用性，飛思卡爾在遠超出正常運行條件下來(lái)測試，即在超出額定工作電壓20％，兩倍額定射頻輸入功率及阻抗不匹配值 VSWR=65:1的條件下進(jìn)行評估。 應用的多樣化 MRFE6VS25N和MRFE6VP100H的寬帶頻率覆蓋范圍允許設計師使用單個(gè)放大器覆蓋多個(gè)頻段，例如1.8 - 54 MHz、30 - 512 MHz，從而減少了材料、縮小了放大器尺寸，減輕了重量，降低了切換損耗，并縮減了日常冷卻開(kāi)支。新產(chǎn)品結合寬帶能力、耐用性和頻率范圍廣等優(yōu)勢，且成本低于同等的GaN（氮化鎵）器件。 MRFE6VS25N和MRFE6VP100H規格包括： MRFE6VS25N：25 W CW， 頻段為1.8-30 MHz時(shí)增益超過(guò)26 dB，512 MHz時(shí)增益超過(guò)25 dB ，效率為50％-73％，在VSWR> 65:1的環(huán)境中可完全達到額定性能。 MRFE6VP100H： 100 W CW，頻段為512 MHz時(shí)增益超過(guò)26 dB ， 30-512MHz時(shí)增益超過(guò)19 dB，效率為40％-71％，在VSWR> 65:1的環(huán)境中可完全達到額定性能。 MRFE6VS25N晶體管采用飛思卡爾 TO-270-2包覆成型塑料封裝， MRFE6VP100H/HS晶體管采用飛思卡爾 NI-780-4和NI-780S-4空氣腔封裝。 供貨情況 MRFE6VS25N和MRFE6VP100H現已開(kāi)始生產(chǎn)。參考設計和其它支持工具一并提供。欲獲取樣品和價(jià)格信息，請聯(lián)系飛思卡爾半導體公司在當地的飛思卡爾銷(xiāo)售辦事處或授權經(jīng)銷(xiāo)商。 有關(guān)MRFE6VS25N和MRFE6VP100H的其它信息，請瀏覽 www.freescale.com / RFpower 。 |
