新思科技和中芯國際推出40納米低漏電工藝DesignWare IP

發(fā)布時(shí)間:2012-7-11 10:42    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 40nm , DesignWare , 低漏電 , 中芯國際
新思科技公司(Synopsys)和中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際)宣布,從即日起提供一套豐富的、應用于中芯國際40納米低漏電(40LL)工藝的DesignWare IP。

中芯國際的40LL工藝技術(shù)結合了先進(jìn)的浸沒(méi)式光刻、應變工程、超淺結和超低k介質(zhì)等技術(shù),以便為移動(dòng)多媒體和消費電子設備提供優(yōu)化的功耗和性能。

通過(guò)提供應用于中芯國際先進(jìn)低功耗工藝的多樣化的和經(jīng)過(guò)驗證的IP,新思科技和中芯國際將使設計師能夠以更小的風(fēng)險和更短的上市時(shí)間在其系統級芯片上集成更多的功能。自2005年以來(lái),通過(guò)新思科技與中芯國際的合作,新思科技帶來(lái)了一個(gè)豐富的IP產(chǎn)品組合,可支持中芯國際從0.13微米到40納米的工藝技術(shù)。

現在已可提供的或計劃將于今年晚些時(shí)候提供的、用于中芯國際40LL工藝的新思科技DesignWare IP包括:

* 面向各種被廣泛應用的協(xié)議的接口IP,如USB 2.0/3.0、PCI Express 2.0/1.1、MIPI、SATA、DDR以及HDMI,可以降低兼容性風(fēng)險。
* 專(zhuān)為各種高性能、低功耗應用而優(yōu)化的音頻編解碼器和數據轉換器IP。
* 可使設計師在整個(gè)系統級芯片上同時(shí)實(shí)現高速度和低功耗的嵌入式存儲器和邏輯庫。

“對于那些為中國和全球多媒體消費電子產(chǎn)品設計SoC的公司來(lái)說(shuō),獲得一系列能應用于一種高性能、低功耗工藝技術(shù)的、經(jīng)過(guò)硅驗證的、多樣化的IP產(chǎn)品至關(guān)重要!敝行緡H商務(wù)長(cháng)季克非說(shuō),“我們與新思科技的合作可以為針對消費電子市場(chǎng)的設計師提供一條行之有效的路徑,直接通向立足于先進(jìn)工藝節點(diǎn)之上的、多樣化并且技術(shù)領(lǐng)先的IP。新思科技的DesignWare USB、HDMI和音頻編碼解碼器的一次流片成功,同時(shí)所有關(guān)鍵性能指標達到、甚至超過(guò)目標規范,體現了中芯國際40LL技術(shù)的穩定性和成熟性!

“我們與中芯國際的長(cháng)期合作使我們能夠為系統級芯片設計師提供優(yōu)化的、可在一系列工藝上廣泛適用的IP,諸如USB、PCI Express 和DDR等一系列用途廣泛的接口協(xié)議,以及諸如邏輯庫和嵌入式存儲器等基本單元!毙滤伎萍糏P和系統營(yíng)銷(xiāo)副總裁John Koeter說(shuō),“此外,我們從0.13微米到65納米的一系列IP都有成功投片的良好記錄。將我們可以提供的IP擴展到中芯國際的40LL工藝,將使設計師能以更低的風(fēng)險充分利用中芯國際先進(jìn)的低漏電工藝技術(shù)集成高品質(zhì)的IP!

供貨

新思科技現已提供的、用于中芯國際40LL工藝的DesignWare IP包含:DesignWare USB 2.0 picoPHY、HDMI 1.4 TX PHY、DDR multi PHY、MIPI D-PHY、PCI Express 2.0/1.1 PHY、SATA 1.5Gb/s/3Gb/s PHY、SATA 6Gb/s PHY以及精選的音頻編解碼器和數據轉換器IP?上蛟缙诓捎谜吖┴浀腎P包括:DesignWare USB 3.0 PHY、HSIC PHY、應用于 LTE 和Wi-Fi的數據轉換器和 模擬前端(AFE),以及嵌入式存儲器和邏輯庫IP。DesignWare HDMI RX PHY和DDR3/2 PHY IP計劃于2012年四季度開(kāi)始供貨。
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