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幫助蜂窩手機及其他便攜式應用設計人員改善電池充電和負載開(kāi)關(guān)，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 經(jīng)擴大了其 P 通道 PowerTrench MOSFET 產(chǎn)品線(xiàn) 。 FDMA910PZ 和 FDME910PZT 具備 MicroFET MOSFET 包裝，并按照它們的物理尺寸(2 X 2 mm 和 1.6 X 1.6 mm) 提供卓越熱性能，讓它們完全匹配開(kāi)關(guān)和線(xiàn)性模式應用。 在 20V 的額定電壓下，設備提供低通路電阻。 為預防靜電放電 (ESD) 失敗，FDMA910PZ 和 FDME910PZT 裝有優(yōu)化穩壓二極管保護設備，這也將使最大額定 IGSS 泄漏從 10μA 降至 1μA。 
獲取詳情，訂購樣品，請訪(fǎng)問(wèn)： http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMA910PZ.html http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDME910PZT.html 特色及優(yōu)勢： FDMA910PZ • 最大 RDS = 20 mΩ，需 VGS = -4.5V，ID = -9.4 A • 最大 RDS = 24 mΩ，需 VGS = -2.5V，ID = -8.6 A • 最大 RDS = 34 mΩ，需 VGS = -1.8V，ID = -7.2 A • 低配置－配備 HBM ESD 保護的 MicroFET 2 X 2 mm 包裝最大為 0.8 mm 級別 > 2.8kV 標準 PDME910PZT • 最大 RDS= 24mΩ，需 VGS = -4.5 V，ID = -8A • 最大 RDS= 31mΩ，需 VGS = -2.5 V，ID = -7A • 最大 RDS= 45mΩ，需 VGS = -1.8 V，ID = -6A • 低配置： 配備 HBM ESD 保護的 MicroFET 1.6 X 1.6 mm 薄包裝最大為 0.55 mm 級別 > 2kV 標準 FDMA910PZ 和 FDME910PZT均不含鹵化物和氧化銻，并且為 RoHS 兼容。 兩種設備都提供低電壓安全操作，并適用于手機和便攜式設備。 飛兆半導體是移動(dòng)科技領(lǐng)導者，可提供大量模擬和電源 IP 系列產(chǎn)品，并可定制以滿(mǎn)足特殊設計需求。 飛兆半導體通過(guò)將領(lǐng)先的電路技術(shù)集成在微型高級包裝中，為便攜產(chǎn)品用戶(hù)提供重要的優(yōu)勢，同時(shí)能夠減小設計的尺寸、成本和功耗。 飛兆半導體的便攜 IP 已用于現今大部分手機中。 價(jià)格：訂購1,000個(gè) FDMA910PZ：每個(gè)0.36美元 FDME910PZT：每個(gè)0.33美元 供貨: 按請求提供樣品。交貨期: 收到訂單后8至12周內 產(chǎn)品的 PDF 格式數據表可從此網(wǎng)址獲�。� http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMA910PZ.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME910PZT.pdf 飛兆半導體香港辦事處，電話(huà)：852-2722-8338；深圳辦事處，電話(huà)：0755-8246-3088；上海辦事處，電話(huà)：021-6263-7500；北京辦事處，電話(huà)：010-6408-8088 或訪(fǎng)問(wèn)公司網(wǎng)站：http://www.fairchildsemi.com/cn/。 |
