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DM9000 中文資料 1．總體介紹 該DM9000是一款完全集成的和符合成本效益單芯片快速以太網(wǎng)MAC控制器與一般處理接口，一個(gè)10/100M自適應的PHY和4K DWORD值的SRAM 。它的目的是在低功耗和高性能進(jìn)程的3.3V與5V的支持寬容。 DM9000還提供了介質(zhì)無(wú)關(guān)的接口，來(lái)連接所有提供支持介質(zhì)無(wú)關(guān)接口功能的家用電話(huà)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )設備或其他收發(fā)器。該DM9000支持8位， 16位和32 -位接口訪(fǎng)問(wèn)內部存儲器，以支持不同的處理器。DM9000物理協(xié)議層接口完全支持使用10MBps下3類(lèi)、4類(lèi)、5類(lèi)非屏蔽雙絞線(xiàn)和100MBps下5類(lèi)非屏蔽雙絞線(xiàn)。這是完全符合IEEE 802.3u規格。它的自動(dòng)協(xié)調功能將自動(dòng)完成配置以最大限度地適合其線(xiàn)路帶寬。還支持IEEE 802.3x全雙工流量控制。這個(gè)工作里面DM9000是非常簡(jiǎn)單的，所以用戶(hù)可以容易的移植任何系統下的端口驅動(dòng)程序。 2．特點(diǎn) 支持處理器讀寫(xiě)內部存儲器的數據操作命令以字節/字/雙字的長(cháng)度進(jìn)行 集成10/100M自適應收發(fā)器 支持介質(zhì)無(wú)關(guān)接口 支持背壓模式半雙工流量控制模式 IEEE802.3x流量控制的全雙工模式 支持喚醒幀，鏈路狀態(tài)改變和遠程的喚醒 4K雙字SRAM 支持自動(dòng)加載EEPROM里面生產(chǎn)商ID和產(chǎn)品ID 支持4個(gè)通用輸入輸出口 超低功耗模式 功率降低模式 電源故障模式 可選擇1:1 YL18-2050S,YT37-1107S 或5:4變壓比例的變壓器降低格外功率 兼容3.3v和5.0v輸入輸出電壓 100腳CMOS LQFP封裝工藝 3．引腳描述 I=輸入 O=輸出 I/O=輸入/輸出 O/D=漏極開(kāi)路 P=電源 LI=復位鎖存輸入 #=普遍低電位
注意：EECS EECK EEDO引腳都內部自帶60KΩ的下拉電阻 4.功能描述 1、總線(xiàn) 總線(xiàn)是ISA總線(xiàn)兼容模式，8個(gè)IO基址,分別是300H, 310H,320H, 330H, 340H, 350H, 360H, 370H。IO基址與設定引腳或內部EEPROM的共同選定 訪(fǎng)問(wèn)芯片有兩個(gè)地址端口，分別是地址端口和數據端口。當引腳CMD接地時(shí)，為地址端口；當引腳CMD接高電平時(shí)，為數據端口。在訪(fǎng)問(wèn)任何寄存器前，地址端口輸入的是數據端口的寄存器地址，寄存器的地址必須保存在地址端口。 2、存儲器直接訪(fǎng)問(wèn)控制 DM9000提供DMA(直接存取技術(shù))來(lái)簡(jiǎn)化對內部存儲器的訪(fǎng)問(wèn)。在對內部存儲器起始地址完成編程后，然后發(fā)出偽讀寫(xiě)命令就可以加載當期數據到內部數據緩沖區，可以通過(guò)讀寫(xiě)命令寄存器來(lái)定位內部存儲區地址。根據當前總線(xiàn)模式的字長(cháng)使存儲地址自動(dòng)加1，下一個(gè)地址數據將會(huì )自動(dòng)加載到內部數據緩沖區。要注意的是在連續突發(fā)式的第一次訪(fǎng)問(wèn)是讀寫(xiě)命令的內容。 內部存儲器空間大少16K字節。低3K字節單元用作發(fā)送包的緩沖區，其他13K字節用作接收包的緩沖區。所以在寫(xiě)發(fā)送包存儲區的時(shí)候，當存儲器地址越界后，自動(dòng)跳回0地址并置位IMR第七位。同樣在讀接收包存儲器的時(shí)候，當存儲器地址越界后，自動(dòng)跳回起始地址0x0c00。 3、包的發(fā)送 有兩個(gè)指數，順序命名為指針1和指針2，能同時(shí)存儲在發(fā)送包緩沖區。發(fā)送控制寄存器(02H)控制冗余校驗碼和填充的插入，其狀態(tài)分別記錄在發(fā)送狀態(tài)寄存器1(03H)和發(fā)送狀態(tài)2(04H) 發(fā)送器的起始地址是0x00H，軟件或硬件復位后默認是指針1，先通過(guò)DMA端口寫(xiě)數據到發(fā)送包緩沖區，然后寫(xiě)字節計數長(cháng)度到字節計數寄存器。 |
