惠普持續納米儲存芯片研發(fā) 每瓦效能或提升數百倍

發(fā)布時(shí)間:2012-12-7 14:18    發(fā)布者:李寬
關(guān)鍵詞: 憶阻器 , 處理器
惠普實(shí)驗室持續進(jìn)行以憶阻器(memristor)為基礎的長(cháng)期性智能型存儲器研發(fā),旨在取代服務(wù)器中央處理器(CPU);研究人員表示,該類(lèi)元件是在這個(gè)數據中心技術(shù)與工作量正出現顛覆性變化的時(shí)刻,所衍生出的數種芯片新類(lèi)別之一。

而惠普也預期會(huì )在最近幾周內公布其“登月計劃(Project Moonshot)”──也就是開(kāi)發(fā)ARM核心或Atom核心節能服務(wù)器──的后續步驟;該公司目前正與AMD、Applied Micro、Calxeda、Cavium與英特爾等處理器供應商合作推展這個(gè)計劃。

到目前為止,惠普已經(jīng)發(fā)表了一款采用英特爾Centerton處理器的Atom核心服務(wù)器;該公司透露將會(huì )使用可抽換式卡柵極(cartridge)讓服務(wù)器機箱的升級更靈活,以支持2013年以后將推出的一系列ARM與Atom核心芯片。

惠普實(shí)驗室的研究人員Parthasarathy Ranganathan在一場(chǎng)于美國加州舉行的服務(wù)器設計高峰會(huì )(Server Design Summit)上表示,該實(shí)驗室將在3~5年的時(shí)間內持續進(jìn)行所謂的“納米儲存(nanostores )”芯片研發(fā);這種芯片結合憶阻器與邏輯電路,可能會(huì )在一個(gè)以創(chuàng )新系統架構與存儲器為基礎的新設計時(shí)代,挑戰微處理器的地位。

“我們有機會(huì )打造全新的電路功能結構;”Ranganathan表示:“那實(shí)際上是一種3-D協(xié)議棧(3-D stacks),能負擔得起傳統的運算工作量、甚至是增加新的工作量,將以提升每瓦效能(performance per watt)達數百倍的潛力改變整個(gè)產(chǎn)業(yè)局勢!

Ranganathan指出,新技術(shù)將帶來(lái)的變革以及未來(lái)工作負載的轉折,會(huì )讓系統設計變得非常有趣。他指出,在2005年左右,運算領(lǐng)域因為處理器而出現大幅進(jìn)展的趨勢,當時(shí)單核心處理器的性能提升趨于穩定,而多核心架構剛剛起飛。

至于在儲存領(lǐng)域,硬盤(pán)的容量已經(jīng)超越了資料可讀寫(xiě)次數;DRAM容量的成長(cháng)趨勢則是緩慢得多,由以往的一年增加60%左右,變成一年增加僅25%。服務(wù)器SoC與結合閃存的3-D協(xié)議棧(3-D stacks)架構服務(wù)器設計,將有助于克服以上瓶頸。
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