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作者：SEMI 特約評論員：釗銘 據新華社消息，中國科學(xué)院微電子研究所集成電路先導工藝研發(fā)中心最近在22納米技術(shù)代集成電路關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)上取得突破性進(jìn)展。消息稱(chēng)該中心的研究人員摒棄了傳統的二氧化硅、多晶硅等材料，采用高K材料、金屬柵等新材料、新工藝，研制出了性能良好的器件，技術(shù)水平達到國內領(lǐng)先、世界一流。 報道還介紹在研發(fā)過(guò)程中，中國科學(xué)院與北京大學(xué)、清華大學(xué)、復旦大學(xué)的聯(lián)合項目組完成了1369項專(zhuān)利申請，其中包括424項國際專(zhuān)利申請，為中國在集成電路領(lǐng)域掌握自主知識產(chǎn)權，取得國際話(huà)語(yǔ)權奠定了基礎。該成果的取得也為中國繼續自主研發(fā)更先進(jìn)的16納米及以下技術(shù)代的關(guān)鍵工藝提供了必要的技術(shù)支撐。 據了解，美國Intel 公司采用高K材料和金屬柵結構的22納米微處理器在2011年下半年已經(jīng)實(shí)現量產(chǎn)，目前Intel公司正在美國興建一座全球最先進(jìn)的工廠(chǎng)，預計在2014年有望實(shí)現14納米產(chǎn)品的量產(chǎn)。中國目前最先進(jìn)的、國家“自主可控”的芯片制造公司是中芯國際，其量產(chǎn)的能力在45 納米產(chǎn)品。中芯國際 32 納米產(chǎn)品的量產(chǎn)能力還在形成當中，預計2013年可以試產(chǎn)。 總體上，中國最先進(jìn)廠(chǎng)商和國際一流廠(chǎng)商的生產(chǎn)技術(shù)水平大約相差2～3代（4～5年），而自主研發(fā)的能力相差更大。從中科院有關(guān)項目的進(jìn)展以及項目聯(lián)合單位的組成來(lái)看，中國的基礎集成電路工藝研發(fā)和生產(chǎn)制造之間脫節的問(wèn)題還沒(méi)有解決。在美國，象紐約州Albany 納米技術(shù)中心這樣的研究機構承擔了一些先進(jìn)工藝的先期、探索性的開(kāi)發(fā)工作，其經(jīng)費來(lái)源有來(lái)自政府的研究基金，也有企業(yè)通過(guò)項目合作的方式提供的資助，研究項目和企業(yè)生產(chǎn)實(shí)際結合的較好。在中國， “學(xué)院式” 的研發(fā)如何和工廠(chǎng)生產(chǎn)實(shí)踐中遇到的科研問(wèn)題相結合還有待磨合。其實(shí)中國在上世紀70-80年代曾經(jīng)推廣過(guò)的“科研和生產(chǎn)實(shí)踐相結合”的路子有其非常合理的一面，可惜物極必反，很多事情做過(guò)頭又矯枉過(guò)正，結果好的東西反而得不到“批判性”地傳承。 |
