1、硬開(kāi)關(guān)與軟開(kāi)關(guān) (1)硬開(kāi)關(guān):開(kāi)關(guān)的開(kāi)通與關(guān)斷伴隨著(zhù)電壓和電流的劇烈變化,產(chǎn)生較大的開(kāi)關(guān)損耗和開(kāi)關(guān)噪聲。 (2)軟開(kāi)關(guān):在主電路中加上小電感或電容等諧振元件,這樣開(kāi)關(guān)管的通、斷前后引入諧振,開(kāi)關(guān)條件得到改善,從而降低開(kāi)關(guān)損耗和開(kāi)關(guān)噪聲。 2、電壓IGBT軟開(kāi)關(guān) IGBT是功率MOSFET和雙極型晶體管組成的復合器件,IGBT比起MOSFET的優(yōu)越性在于它可以節約硅片的面積及具有雙極型晶體管的電流特性。 3、電路組成 感應加熱電源隨著(zhù)工業(yè)的發(fā)展要求,其功率越做越大。這樣,在中小功率場(chǎng)合廣泛應用的MOSFET已不能滿(mǎn)足功率要求。在高壓大功率的電源上,IGBT成為主角?墒荌GBT具 有較大的功率損耗。我們在移相全橋PWM硬開(kāi)關(guān)的基礎上,增加一個(gè)諧振電感,形成了應用IGBT的PB—ZVS—PWM變換器。 4、輸入低電壓限制 該電源的最低輸入電壓為320V,當輸入的電壓低于正常工作需要的最低電壓時(shí),正常的情況下一般要進(jìn)行關(guān)機操作,但是,這樣會(huì )使電壓型控制的電源進(jìn)入“閉鎖”模式,即輸出的占空比達到最大值,無(wú)法對輸出進(jìn)行調節,當輸入電壓又回到正常值時(shí),就會(huì )損壞電源和負載。另外,輸入電壓越低,通過(guò)功率開(kāi)關(guān)管的電流就‘越大,會(huì )使開(kāi)關(guān)管因功耗過(guò)大而損壞,為此我們在輸入端上用一個(gè)簡(jiǎn)單的電壓比較器而很好地解決了此問(wèn)題。 |