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1、硬開(kāi)關(guān)與軟開(kāi)關(guān) (1)硬開(kāi)關(guān)：開(kāi)關(guān)的開(kāi)通與關(guān)斷伴隨著(zhù)電壓和電流的劇烈變化，產(chǎn)生較大的開(kāi)關(guān)損耗和開(kāi)關(guān)噪聲。 (2)軟開(kāi)關(guān)：在主電路中加上小電感或電容等諧振元件，這樣開(kāi)關(guān)管的通、斷前后引入諧振，開(kāi)關(guān)條件得到改善，從而降低開(kāi)關(guān)損耗和開(kāi)關(guān)噪聲。 2、電壓IGBT軟開(kāi)關(guān) IGBT是功率MOSFET和雙極型晶體管組成的復合器件，IGBT比起MOSFET的優(yōu)越性在于它可以節約硅片的面積及具有雙極型晶體管的電流特性。 3、電路組成 感應加熱電源隨著(zhù)工業(yè)的發(fā)展要求，其功率越做越大。這樣，在中小功率場(chǎng)合廣泛應用的MOSFET已不能滿(mǎn)足功率要求。在高壓大功率的電源上，IGBT成為主角�？墒荌GBT具 有較大的功率損耗。我們在移相全橋PWM硬開(kāi)關(guān)的基礎上，增加一個(gè)諧振電感，形成了應用IGBT的PB—ZVS—PWM變換器。 4、輸入低電壓限制 該電源的最低輸入電壓為320V，當輸入的電壓低于正常工作需要的最低電壓時(shí)，正常的情況下一般要進(jìn)行關(guān)機操作，但是，這樣會(huì )使電壓型控制的電源進(jìn)入“閉鎖”模式，即輸出的占空比達到最大值，無(wú)法對輸出進(jìn)行調節，當輸入電壓又回到正常值時(shí)，就會(huì )損壞電源和負載。另外，輸入電壓越低，通過(guò)功率開(kāi)關(guān)管的電流就‘越大，會(huì )使開(kāi)關(guān)管因功耗過(guò)大而損壞，為此我們在輸入端上用一個(gè)簡(jiǎn)單的電壓比較器而很好地解決了此問(wèn)題。 |
