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LMP92066PWPR 是一款高度集成的溫控型雙 DAC。兩個(gè) DAC 均可通過(guò)存儲在內部 EEPROM 中的兩個(gè)獨立的、用戶(hù)定義的溫度-電壓轉換函數進(jìn)行編程，從而無(wú)需額外的外部電路即可校正任何溫度影響。 LMP92066PWPR DAC原理圖 
特點(diǎn) Intermal 12 位溫度傳感器 精度（- 40°C 至 120°C），+3.2°C EEPROM 中存儲兩個(gè)獨立的傳輸函數 雙模擬輸出 兩個(gè) 12 位 DAC 輸出范圍 0 V 至 5 V 或 0 V 至 5 V 耐高電容負載，高達 10 μF 校準后精度 +2.4 mV（典型值） 輸出開(kāi)/關(guān)控制開(kāi)關(guān)時(shí)間 50 ns 開(kāi)關(guān)時(shí)間 50 ns（典型值） RDSON 5 Q（最大值） IC 接口： 標準和快速 九個(gè)可選從機地址 超時(shí)功能 VDD 電源范圍 4.75 V 至 5.25 V 指定溫度范圍 - 25°C 至 120°C 工作溫度范圍 - 40°C 至 125°C 應用 GaN 或 LDMOS PA 偏壓控制器 傳感器溫度補償 定時(shí)電路溫度補償 明佳達LMP92066PWPR DAC、DRV10983ZPWPR BLDC電機驅動(dòng)器，IKA15N60T/STGB19NC60KDT4絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。 DRV10983ZPWPR器件是一款具有集成功率 MOSFET 的三相無(wú)傳感器電機驅動(dòng)器，可提供高達 2A 的持續驅動(dòng)電流。該器件專(zhuān)為成本敏感型、低噪聲、低外部組件數量 應用而設計低功耗是一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題。該器件采用專(zhuān)有無(wú)傳感器控制方案來(lái)提供持續正弦驅動(dòng)，可大幅降低換向過(guò)程中通常會(huì )產(chǎn)生的純音。該器件的接口設計簡(jiǎn)單而靈活�？芍苯油ㄟ^(guò) PWM、模擬、或 I2C 輸入控制電機�？赏ㄟ^(guò) FG 引腳或 I2C 提供電機速度反饋。 DRV10983ZPWPR器件安全功能包括 一個(gè)集成降壓穩壓器，可高效地將電源電壓降至 5V 或 3.3V，從而為內外部電路供電。該器件提供睡眠模式和待機模式兩種型號，可在電機停止運轉時(shí)實(shí)現節能。待機模式 (3mA) 型號會(huì )使穩壓器保持運行，而休眠模式 (180μA) 型號會(huì )使穩壓器停止工作。在使用穩壓器 為外部 微控制器供電的應用中使用待機模式型號。 特性 輸入電壓范圍：8 至 28V 總驅動(dòng)器 H + L rDS(on)：250mΩ 驅動(dòng)電流：2A 持續繞組電流（峰值 3A） 無(wú)傳感器專(zhuān)有反電動(dòng)勢 (BEMF) 控制方案 連續正弦 180° 換向 無(wú)需外部感測電阻 用戶(hù)可通過(guò)添加外部感應電阻以靈活監視為電機提供的功率 靈活的用戶(hù)接口選項： I2C 接口：訪(fǎng)問(wèn)命令和反饋寄存器 專(zhuān)用的 SPEED 引腳：接受模擬或 PWM 輸入 專(zhuān)用的 FG 引腳：提供 TACH 反饋 可通過(guò) EEPROM 定制旋轉曲線(xiàn) 使用 DIR 引腳進(jìn)行正向/反向控制 集成了降壓穩壓器，可高效地為內部和外部電路提供電壓 (5V 或 3.3V) 電源電流為 3mA 待機型號 (DRV10983) 電源電流為 180 μA 睡眠型號 (DRV10983Z) 過(guò)流保護 鎖定檢測 電壓浪涌保護 欠壓閉鎖 (UVLO) 保護 熱關(guān)斷保護 耐熱增強型 24 引腳散熱薄型小外形尺寸 (HTSSOP) 應用 • 設備風(fēng)扇 • 制熱、通風(fēng)與空調控制 (HVAC) DRV10983ZPWPR BLDC 電機驅動(dòng)器原理圖
IKA15N60T是一款高性能絕緣柵雙極晶體管（IGBT），屬于 TRENCHSTOP™ 系列。該芯片集成了一個(gè) 600V、15A 的 IGBT 和一個(gè)反向并聯(lián)的快速恢復發(fā)射極控制二極管，采用 TO-220 Full-Pak 封裝。 參數 集電極-發(fā)射極電壓：600V 直流集電極電流：15A（TC = 25°C），10.6A（TC = 100°C） 脈沖集電極電流：45A 二極管正向電流：17.2A（TC = 25°C），10.8A（TC = 100°C） 二極管脈沖電流：45A 柵極-發(fā)射極電壓：±20V 短路耐受時(shí)間：5μs（VGE = 15V, VCC ≤ 400V, Tj ≤ 150°C） 最大功耗：35.7W（TC = 25°C） 工作結溫：-40°C 至 +175°C 存儲溫度：-55°C 至 +150°C 隔離電壓：2500Vrms 特點(diǎn) 非常低的 VCEsat：1.5V（典型值） 低開(kāi)關(guān)損耗 易于并聯(lián)開(kāi)關(guān)：由于 VCEsat 的正溫度系數 非常軟、快速恢復的反向并聯(lián)發(fā)射極控制二極管 高魯棒性，溫度穩定的行為 低電磁干擾（EMI） 低柵極電荷 參數分布非常緊密 應用 空調 逆變器 STGB19NC60KDT4是一款高性能絕緣柵雙極晶體管（IGBT），屬于 600V IGBT with Trench Technology 系列。該芯片集成了一個(gè) 600V、20A 的 IGBT 和一個(gè)反向并聯(lián)的快速恢復二極管，采用 D2PAK 封裝。這些器件是采用先進(jìn)的 PowerMESH™ 技術(shù)開(kāi)發(fā)的超高速 IGBT。這種工藝保證了開(kāi)關(guān)性能和低導通行為之間的出色權衡。 功能 低導通壓降 (VCE(sat)) CRES / CIES 比率低（無(wú)交叉傳導電感） 短路耐壓時(shí)間 10 μs 與超高速續流二極管共同封裝的 IGBT 規格 產(chǎn)品種類(lèi): 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù): Si 封裝 / 箱體: D2PAK-3 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 配置: Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V 集電極—射極飽和電壓: 2 V 柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, 20 V 在25 C的連續集電極電流: 35 A Pd-功率耗散: 125 W 最小工作溫度: - 55 C 最大工作溫度: + 150 C 集電極最大連續電流 Ic: 35 A 高度: 4.6 mm 長(cháng)度: 10.4 mm 應用 高頻逆變器 電機驅動(dòng)器 |
