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~助力車(chē)載電動(dòng)壓縮機和工業(yè)設備逆變器等效率提升~ ROHM（總部位于日本京都市）面向車(chē)載電動(dòng)壓縮機、HV加熱器、工業(yè)設備用逆變器等應用，開(kāi)發(fā)出符合汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101*1、1200V耐壓、實(shí)現了業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。 此次發(fā)售的產(chǎn)品包括4款分立封裝的產(chǎn)品（TO-247-4L和TO-247N各2款）“RGA80TRX2HR／RGA80TRX2EHR／RGA80TSX2HR／RGA80TSX2EHR”和11款裸芯片產(chǎn)品“SG84xxWN”，預計未來(lái)將會(huì )進(jìn)一步擴大產(chǎn)品陣容。 
近年來(lái)，汽車(chē)和工業(yè)設備朝高電壓化方向發(fā)展，這就要求安裝在車(chē)載電動(dòng)壓縮機、HV加熱器和工業(yè)設備逆變器等應用中的功率元器件也能支持高電壓。另一方面，為了實(shí)現無(wú)碳社會(huì )，從更節能、簡(jiǎn)化冷卻機構、外殼的小型化等角度出發(fā)，對功率元器件的效率提升也提出了強烈的要求。另外，車(chē)載電子產(chǎn)品還需要符合車(chē)載產(chǎn)品可靠性標準。不僅如此，在逆變器和加熱器電路中，還要求功率元器件在發(fā)生短路時(shí)能夠切斷電流，并且需要具有更高的短路耐受能力。在這種背景下，ROHM通過(guò)改進(jìn)器件結構，并采用合適的封裝形式，開(kāi)發(fā)出支持高電壓、并實(shí)現業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力的第4代IGBT新產(chǎn)品。 第4代1200V IGBT通過(guò)改進(jìn)包括外圍結構在內的器件結構，不僅實(shí)現了高達1200V的耐壓能力和符合車(chē)載電子產(chǎn)品標準的可靠性，還實(shí)現了10μsec.（Tj＝25℃時(shí)）的業(yè)界超高短路耐受能力以及業(yè)界超低的開(kāi)關(guān)損耗和導通損耗特性。另外，新產(chǎn)品采用4引腳TO-247-4L封裝，通過(guò)確保引腳間的爬電距離*4，可在污染等級為2級的環(huán)境*5中支持1100V的有效電壓，與以往產(chǎn)品相比，可支持更高電壓的應用。由于爬電距離對策是在器件上實(shí)施的，因此也有助于減輕客戶(hù)的設計負擔。此外，TO-247-4L封裝產(chǎn)品通過(guò)增加開(kāi)爾文發(fā)射極引腳*6，還實(shí)現了高速開(kāi)關(guān)和更低損耗。通過(guò)對TO-247-4L封裝新產(chǎn)品、普通產(chǎn)品和以往產(chǎn)品在三相逆變器中的實(shí)際效率進(jìn)行比較，證實(shí)新產(chǎn)品的損耗比普通產(chǎn)品低約24%，比以往產(chǎn)品低約35%，這將有助于實(shí)現應用產(chǎn)品的高效率驅動(dòng)。
新產(chǎn)品已經(jīng)暫以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規模投入量產(chǎn)（樣品價(jià)格 1,500日元/個(gè)，不含稅）。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠(chǎng)），后道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Integrated Systems （Thailand） Co., Ltd.（泰國）。另外，新產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始通過(guò)電商進(jìn)行銷(xiāo)售，通過(guò)Ameya360等電商平臺均可購買(mǎi)。 未來(lái)，ROHM將會(huì )繼續擴大更高性能IGBT的產(chǎn)品陣容，從而為汽車(chē)和工業(yè)設備應用的高效率驅動(dòng)和小型化貢獻力量。 ＜產(chǎn)品陣容＞ 分立產(chǎn)品
裸芯片產(chǎn)品
＜應用示例＞ ◇車(chē)載電動(dòng)壓縮機 ◇車(chē)載HV加熱器（PTC加熱器、冷卻液加熱器） ◇工業(yè)設備逆變器 ＜電商銷(xiāo)售信息＞ 開(kāi)始銷(xiāo)售時(shí)間：2024年11月起 網(wǎng)售平臺：Ameya360等 新產(chǎn)品在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。 產(chǎn)品型號：RGA80TRX2HR、RGA80TRX2EHR、 RGA80TSX2HR、RGA80TSX2EHR ＜支持信息＞ 通過(guò)ROHM官網(wǎng)，可以下載包括通過(guò)仿真如實(shí)再現產(chǎn)品電氣特性的SPICE模型在內的各種電路設計所需的資料：https://www.rohm.com.cn/products ... bt#parametricSearch ＜關(guān)于采用了RGA系列的賽米控丹佛斯功率半導體模塊＞ 賽米控丹佛斯額定電流10A～150A的功率半導體模塊“MiniSKiiP®”，采用了ROHM的1200V耐壓IGBT“RGA系列”。如欲了解更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)以下頁(yè)面： https://www.rohm.com.cn/news-det ... efaultGroupId=false ＜關(guān)于“EcoIGBT™”品牌＞ EcoIGBT™是ROHM開(kāi)發(fā)的非常適用于功率元器件領(lǐng)域對耐壓能力要求高的應用的IGBT，是包括器件和模塊在內的品牌名稱(chēng)。從晶圓生產(chǎn)到制造工藝、封裝和品質(zhì)管理方法，ROHM一直在自主開(kāi)發(fā)功率元器件產(chǎn)品升級所必需的技術(shù)。另外，ROHM在制造過(guò)程中采用的是一貫制生產(chǎn)體系，已經(jīng)確立了功率元器件領(lǐng)域先進(jìn)企業(yè)的地位。 ・EcoIGBT™是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。 ＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞ *1) 汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準“AEC-Q101” AEC是Automotive Electronics Council的縮寫(xiě)，是大型汽車(chē)制造商和美國大型電子元器件制造商聯(lián)手制定的汽車(chē)電子元器件的可靠性標準。Q101是適用于分立半導體元器件（晶體管、二極管等）的標準。 *2) 短路耐受能力 當負載等短路時(shí)，功率元器件能夠承受而不至于損壞的時(shí)間。 *3) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管） 同時(shí)具有MOSFET的高速開(kāi)關(guān)特性和雙極晶體管的低導通損耗特性的功率晶體管。 *4) 爬電距離 兩個(gè)導體之間沿絕緣表面測得的最短距離。 在半導體設計中，為了防止觸電、漏電、半導體產(chǎn)品短路，需要采取確保爬電距離和電氣間隙的絕緣對策。 *5) 污染等級2級的環(huán)境 污染等級2級相當于家庭和辦公室等常見(jiàn)的環(huán)境，即僅存在干燥的非導電污染物的狀態(tài)。 污染等級是確定元器件的電氣間隙和爬電距離時(shí)會(huì )產(chǎn)生影響的環(huán)境等級，根據污染物質(zhì)的有無(wú)、數量和狀態(tài)分為1～4級。 *6) 開(kāi)爾文發(fā)射極引腳 測量電壓專(zhuān)用的發(fā)射極引腳。通過(guò)使流過(guò)電流的發(fā)射極引腳分離，可以將電流流過(guò)時(shí)電壓壓降的影響降至更低，從而實(shí)現高速且穩定的開(kāi)關(guān)。 |
