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新思科技公司（Synopsys）日前宣布：即日起提供其基于FinFET技術(shù)的半導體設計綜合解決方案。該解決方案包含了一系列DesignWare嵌入式存儲器和邏輯庫IP，其Galaxy實(shí)現平臺中經(jīng)芯片驗證過(guò)的設計工具，以及晶圓代工廠(chǎng)認證的提取、仿真和建模工具。它還包含了多家晶圓廠(chǎng)用于開(kāi)發(fā)FinFET工藝所需的TCAD和掩膜綜合產(chǎn)品。各種FinFET器件的三維結構代表了晶體管制造領(lǐng)域內的一個(gè)重大轉變，它影響了設計實(shí)現工具、制造工具及設計IP。通過(guò)與業(yè)界領(lǐng)先的晶圓代工廠(chǎng)、研究機構和早期采用者在工程領(lǐng)域長(cháng)達五年的開(kāi)發(fā)合作，Synopsys的FinFET解決方案為實(shí)現從平面到3D晶體管的成功過(guò)渡提供了各種經(jīng)生產(chǎn)驗證的技術(shù)。該全線(xiàn)解決方案為加速FinFET技術(shù)的部署提供了強大的EDA工具和IP基礎，該技術(shù)可為半導體設計提供更低的功耗、更好的性能與更小的面積。 “Synopsys持續地投入巨資來(lái)開(kāi)發(fā)一個(gè)完整的解決方案，以推進(jìn)包括FinFET在內的新工藝幾何節點(diǎn)和器件的應用，” Synopsys高級副總裁兼設計實(shí)現業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Antun Domic說(shuō)道�！癝ynopsys與FinFET生態(tài)系統中的合作伙伴，包括晶圓廠(chǎng)、早期采用者及研究機構等廣泛合作，使我們能夠提供業(yè)界頂級的技術(shù)，并且使市場(chǎng)認識到這種新型晶體管設計的所有潛在優(yōu)勢�！� “隨著(zhù)我們開(kāi)始提供新的14nm-XM工藝，我們已經(jīng)加快了我們領(lǐng)先的發(fā)展路線(xiàn)，以提供一種為日益擴張的移動(dòng)市場(chǎng)而優(yōu)化的FinFET技術(shù)，” GLOBALFOUNDRIES高級副總裁兼首席技術(shù)官Gregg Bartlett說(shuō)道�！芭c合作伙伴攜手已經(jīng)成為我們能夠提供這種創(chuàng )新的FinFET解決方案的關(guān)鍵因素。我們很早就已經(jīng)與Synopsys在多個(gè)領(lǐng)域內開(kāi)展合作，包括FinFET器件的HSPICE建模。我們延續了我們的合作，以加快我們共同的客戶(hù)對FinFET技術(shù)的采用�！� “我們與Synopsys在FinFET技術(shù)上的合作是保持我們半導體行業(yè)領(lǐng)先地位的關(guān)鍵，”三星電子有限公司負責系統LSI基礎架構設計中心的高級副總裁Kyu-Myung Choi博士說(shuō)道�！拔覀兊木A代工廠(chǎng)和半導體設計專(zhuān)業(yè)知識與Synopsys多樣化的EDA工具和IP開(kāi)發(fā)經(jīng)驗相結合，使我們能夠有效地應對與FinFET相關(guān)的挑戰。我們將繼續鞏固這種強大的合作關(guān)系，以使FinFET技術(shù)收益最大化�！� “很早以前，我們就成功地證明了使用FinFET 3D晶體管的功耗和性能優(yōu)勢，” 被廣泛地視為FinFET技術(shù)先驅的加利福尼亞州立大學(xué)伯克利分校微電子學(xué)特聘教授Chenming Hu博士說(shuō)道�！盀榱耸惯@些演示成為現實(shí)，我們的團隊與Synopsys 研發(fā)部門(mén)在包括器件仿真在內的多個(gè)領(lǐng)域內進(jìn)行了緊密合作。我們將繼續與Synopsys合作來(lái)推進(jìn)FinFET部署的更多創(chuàng )新�！� Synopsys的具備FinFET能力的IP 通過(guò)與領(lǐng)先的晶圓代工廠(chǎng)超過(guò)五年的緊密合作，使Synopsys獲得了設計方面的專(zhuān)業(yè)知識以及對IP架構的一種深刻理解。這種緊密的合作成就了關(guān)鍵客戶(hù)對Synopsys基于FinFET 的DesignWare嵌入式存儲器和邏輯庫IP解決方案的成功部署。計劃于2013年進(jìn)行更多樣化的IP開(kāi)發(fā)。DesignWare嵌入式存儲器和邏輯庫IP被構建用于實(shí)現FinFET技術(shù)的全部?jì)?yōu)勢，在性能、漏電特性、動(dòng)態(tài)功耗和低電壓運行等領(lǐng)域內提供出眾的結果。 Synopsys面向FinFET工藝的設計工具 從平面到基于FinFET的3D晶體管的變遷是一項重大改變，它需要工具開(kāi)發(fā)商、晶圓代工廠(chǎng)和早期采用者之間緊密的研發(fā)合作，以提供堅實(shí)的EDA工具基礎。通過(guò)與FinFET生態(tài)系統合作伙伴多年的合作，Synopsys的解決方案加速了基于FinFET的設計的上市時(shí)間。該綜合解決方案包括IC Compiler物理設計、IC Validator物理驗證、StarRC寄生參數提取、SiliconSmart特征描述、用于FastSPICE仿真的CustomSim和FineSim以及HSPICE器件建模和電路仿真。 Synopsys面向FinFET工藝的制造工具 FinFET的小幾何尺寸和3D性質(zhì)使其需要新的方法來(lái)優(yōu)化器件性能和漏電指標，并解決工藝變化帶來(lái)的影響。器件的目標性能與漏電指標需要通過(guò)對鰭型幾何結構、應力工程學(xué)及其它因素的優(yōu)化得以實(shí)現。由隨機摻雜的波動(dòng)、線(xiàn)邊緣粗糙度、布線(xiàn)感生應力及其它來(lái)源帶來(lái)的工藝偏差，會(huì )共同對器件和電路性能產(chǎn)生影響。Synopsys已經(jīng)與多家晶圓代工廠(chǎng)就Sentaurus TCAD和Proteus掩膜綜合產(chǎn)品進(jìn)行合作，以解決以上問(wèn)題。Sentaurus產(chǎn)品線(xiàn)使晶圓代工廠(chǎng)能夠優(yōu)化FinFET 工藝，和設計能夠減輕工藝變化帶來(lái)的影響、從而滿(mǎn)足性能與漏電特性要求的器件。Proteus產(chǎn)品線(xiàn)為晶圓代工廠(chǎng)實(shí)現整個(gè)芯片的臨近校正提供了綜合的解決方案。 |
