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作為Synopsys.ai EDA整體解決方案的一部分，由AI驅動(dòng)的模擬設計遷移流可助力提升模擬和混合信號 SoC 的設計生產(chǎn)率 新思科技（Synopsys, Inc.）近日宣布，其模擬設計遷移流程已應用于臺積公司N4P、N3E 和 N2 在內的多項先進(jìn)工藝。作為新思科技定制設計系列產(chǎn)品的一部分，新思科技模擬設計遷移流程包括了基于機器學(xué)習的原理圖和基于模板的版圖遷移解決方案，能夠加速整體模擬設計遷移任務(wù)。在該設計遷移解決方案中，集成了寄生參數感知且由AI驅動(dòng)的優(yōu)化技術(shù)將為模擬設計調優(yōu)過(guò)程減少常見(jiàn)的手動(dòng)迭代工作，并滿(mǎn)足設計規格需求。開(kāi)發(fā)者可以采用該流程在全新工藝節點(diǎn)上優(yōu)化其設計，并節省數周的工程時(shí)間和精力。 臺積公司設計基礎設施管理部負責人Dan Kochpatcharin表示：“臺積公司全球領(lǐng)先的先進(jìn)工藝技術(shù)在性能和功耗上具有卓越優(yōu)勢，能夠幫助開(kāi)發(fā)者實(shí)現芯片創(chuàng )新，滿(mǎn)足當前智能、互聯(lián)和計算密集型應用的極高需求。我們與新思科技的長(cháng)期合作，將繼續幫我們的共同客戶(hù)將現有模擬設計遷移至臺積公司下一代工藝節點(diǎn)，從而提高生產(chǎn)效率并縮短上市時(shí)間�！� 新思科技EDA事業(yè)部戰略與產(chǎn)品管理副總裁Sanjay Bali表示：“在更復雜的芯片、更有限的工程資源以及更緊迫的交付時(shí)間要求下，企業(yè)正采用AI驅動(dòng)的解決方案以實(shí)現更高的設計質(zhì)量（QOR）和結果完成時(shí)間（TTR）。我們與臺積公司合作開(kāi)發(fā)了適用于臺積公司 N4P、N3E 和 N2 工藝的模擬設計遷移流程，助力我們的共同客戶(hù)能夠實(shí)現工藝節點(diǎn)間的高效設計遷移并大幅提高設計生產(chǎn)率�！� 實(shí)現模擬和 IP 設計的高效遷移 新思科技已經(jīng)連續多年被評為“臺積公司OIP年度合作伙伴”，其中一項突出成果是經(jīng)認證的新思科技定制設計系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品提供基于機器學(xué)習的原理圖和基于模板的版圖遷移功能，可在臺積公司先進(jìn)工藝節點(diǎn)上遷移模擬設計時(shí)高效復用現有IP。該模擬設計遷移流程的關(guān)鍵組件包括新思科技Custom Compiler 設計和版圖解決方案、新思科技PrimeWave設計環(huán)境和新思科技PrimeSim電路仿真解決方案，這些解決方案適用于臺積公司所有的先進(jìn)FinFET工藝，并在SPICE、FastSPICE和混合信號仿真方面具有顯著(zhù)的性能優(yōu)勢。 加速早期設計啟動(dòng) 針對臺積公司 N4P、N3E 和 N2 工藝優(yōu)化的可互操作工藝設計工具包（iPDK） 推出后，開(kāi)發(fā)者可以更早地啟動(dòng)他們的項目，大幅提升設計效率。雙方的共同客戶(hù)采用 iPDK后，可以在其設計流程中使用全球領(lǐng)先的設計工具，以簡(jiǎn)化開(kāi)發(fā)流程并縮短設計周轉時(shí)間（TAT）。此外，新思科技攜手Ansys、是德科技（Keysight）共同推出面向臺積公司 N4P 射頻 FinFET 工藝的射頻集成電路參考流程，助力合作伙伴加速射頻設計。這一開(kāi)放式射頻設計流程能夠幫助射頻 SoC 開(kāi)發(fā)者兼顧性能、功耗效率和產(chǎn)品上市時(shí)間的要求。 上市情況 新思科技模擬設計遷移解決方案和射頻設計解決方案現可用于臺積公司先進(jìn)工藝。 |
