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近日，IDT 推出最新4H系列MEMS振蕩器，具有出色的可靠性和精度，可在萬(wàn)兆（10G/40G）以太網(wǎng)應用中替代傳統的晶振。 據IDT公司總經(jīng)理Harmeet Bhugra介紹，與石英晶振相比，4H系列MEMS振蕩器的可靠性要高出40倍。它具有零擾動(dòng)，我零時(shí)故障，我靜摩擦問(wèn)題，并且具有高抗沖擊和振動(dòng)性能。在萬(wàn)兆以太網(wǎng)應用中，4H系列MEMS振蕩器的典型相位抖動(dòng)是100 飛秒（0.1皮秒），輸出頻率可修改范圍達到±1000 ppm，可降低高性能萬(wàn)兆以太網(wǎng)和網(wǎng)絡(luò )應用的誤碼率，是替代石英晶振的理想選擇。 這款產(chǎn)品支持LVDS/LVPECL/CMOS的輸出。它可滿(mǎn)足小尺寸（3.2×2.5mm）的封裝，頻率可以高達625MHz，工作溫度范圍可達-40度至85攝氏度。 4H系列的產(chǎn)品基于IDT公司的pMEMS（壓電MEMS）技術(shù)。IDT公司為這項技術(shù)已經(jīng)獲得或者即將待定的專(zhuān)利有40項。 與石英產(chǎn)品一樣，pMEMS振蕩器是無(wú)源的，即不需要外部電源，而電容式MEMS振蕩器是有源的。壓pMEMS支持更高的固有頻率，具有更好的噪音的性能。因為它是基于壓電技術(shù)，所以pMEMS振蕩器也沒(méi)有靜摩擦的問(wèn)題，不會(huì )造成穩定性的方面的一些故障。 IDT公司的首款pMEMS振蕩器是2012年5月推出的，稱(chēng)作4M系列（M代表MEMS）。2013年2月，該公司又推出了具有4個(gè)頻率輸出的增強型4E系列pMEMS振蕩器。目前的4H系列為高性能版本，最適合高端通信應用需求。 |
